当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈之一,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,而太阳能电池就将太阳辐射直接转换成电能的光电器件。近年来,人们一直着手研究怎样降低单晶硅表面反射率从而提高太阳能电池的光电转换效率。分析影响电池转换效率的主要原因可以知道,当太阳光照射到电池表面,极大的光损失依然是影响转换效率提升的一个重要因素之一。为了可以最大程度的增加吸收光,在硅片表面制备一定的陷光结构是非常必要的。目前,工业生产上主要采用碱溶液进行硅表面织构的制备,其中NaOH与异丙醇混合配制而成的溶液是最常用的刻蚀液。但由于异丙醇的物理性质较特殊,在高温下非常容易挥发,所以在反应过程中需要不断添加,但其价格又非常昂贵,导致工业生产太阳能电池的成本会有所增高,而且重要的是只可以将表面反射率降低到14%左右。硅纳米线是新型的一维纳米材料(SiNWs),由于其自身所特有的光学、电学性质、半导体所具有的特殊性质、优异的光学减反射、电输运性能和优异的光敏特性,是国际半导体材料和纳米领域研究的热点,但迄今为止,单纯的硅纳米线虽然相对于陷光结构已将反射率大大降低,但也止步于3%左右。本文研究了单晶硅表面双结构的制备方法,即在单晶硅表面提出了一种新型结构。利用扫描电子显微镜、漫反射测量系统等测试设备对不用条件下的样品进行测试分析,分析了影响表面反射率的主要因素,在优化条件下,可以将表面反射率降低到0.9%。首先采用NaOH与异丙醇混合溶液对单晶硅片进行制绒,得到了平均反射率为14%的硅绒面。接下来进行镀膜工艺与溶液腐蚀制备纳米线结构。采用此种新型结构成功制得了低反射率的硅表面,本文研究表面银粒子的形貌、大小以及时间对刻蚀双结构效果的影响,发现磁控溅射3min后镀的银膜经刻蚀3min是最佳的实验条件。我们利用优化的溶液浓度、高质量的银膜以及合适的反应时间等条件,制备出了平均反射率为0.9%的硅表面,金字塔的单个尺寸在3-8μm之间,大小比较均匀,纳米线粗细均匀,长度在1μ左右,宽小于100nm,而且样品表面非常均匀。这种新方法和传统的单一方法相比不但更加降低了表面反射率,而且也为制备高效率单晶硅太阳能电池提供了一条新的途径。