纳米材料是近年发展起来的一种新型材料，它包括两个层次：一是纳米微粒，二是纳米固体(包括薄膜)，即纳米结构材料。多层膜作为纳米结构材料的一种，因其调制波长为纳米尺寸，因而具备一些常规材料不具备的性能。正因为如此，近年来纳米多层膜已经成为材料学和物理学领域的热门研究课题。本论文采用与传统物理气相沉积(PVD)法不同的电化学结晶法制垂直磁记录材料Co/Pt多层膜。首先通过循环伏安法确定Co、Pt的沉积电位，再由溶出曲线估算沉积一定厚度金属层所对应的镀液浓度和沉积时间。不仅用已知的双电解槽法，而且设计了新型的流动式单电解槽，通过结晶过电位控制多层膜的生长，在单晶硅基底上电结晶制得了Co/Pt多层膜。 通过SEM断面图证实了多层膜是层状结构的。低角度X射线衍射表明多层膜具有良好的周期性调制结构，中角度X射线衍射表明多层膜相际间存在着CoPt3化合物，该化合物的形成与电结晶时的电位、电流有密切的关系。用PPMS测定了多层膜的磁滞回线，表明Co/Pt多层膜有垂直磁各向异性，易磁化轴垂直于膜面。随着沉积Co的时间增加，镀层中Co的含量也增加，其垂直于外磁场时的矫顽力增加，而平行外磁场时的矫顽力和Co的厚度无关。 目前国内外文献均用氯铂酸作电沉积Pt主盐，本文首次采用含添加剂的Pt的P盐作为的主盐，获得的Pt层远比采用氯铂酸作主盐所得的Pt层紧密，大大提高了多层膜的质量。同时，电沉积铂实验曲线的初期阶段与瞬时成核的理论曲线比较接近，表明该电结晶初期过程按瞬时成核三维生长方式进行，这说明P盐中添加剂也不影响Pt的电结晶机理。