由于低维纳米材料在众多研究领域所显示的潜在的重要应用前景，低维纳米结构材料的合成和性能已经成为当前纳米材料学的一个热点。其中准一维纳米材料的有序阵列体系的制备对于规模化功能器件的研制具有特别重要的意义。　　 本文采用电化学阳极氧化的方法，制备不同孔径的氧化铝模板，探讨了影响氧化铝模板有序性的一些因素。采用脉冲电沉积方法制备单晶Zn纳米线阵列，并利用变温XRD衍射技术研究不同直径Zn纳米线的热膨胀性质。本论文所取得的主要研究内容和结论如下：　　 (1)氧化铝模板的制备。通过调节电解液pH值和氧化电压等参数，采用阳极氧化法制备出孔径在20nm到225nm范围内的氧化铝模板。　　 (2)对于影响氧化铝模板有序性的因素进行了研究。研究发现，铝片晶粒中的点缺陷对有序性有重大影响。通过观察铝片的位错结构发现，胞状位错对氧化铝模板孔洞的有序性有很大影响，而网络状位错结构对氧化铝模板的孔阵列排列基本上没有影响。　　 (3)采用脉冲电沉积法制备不同直径(20nm，30nm，45nm，80nm,225nm)的单晶Zn纳米线阵列。采用变温X射线衍射的方法研究了不同直径Zn纳米线的热膨胀性质。研究表明不同直径的Zn纳米线具有不同的热膨胀系数。随着纳米线直径的增加，退火前后的纳米线的热膨胀系数都有一个“V”形的变化。我们认为是由于晶体的本征热膨胀、表面张力、外部压力和空位的相互作用而导致晶格常数的这种变化。