本文研究了Fe、Li共掺杂对In₂O₃基稀磁半导体薄膜的局域结构、磁输运性能的影响。薄膜是利用射频磁控溅射技术在SiO₂/Si（100）与超白玻璃基片表面沉积的。通过XRD、XPS、XAFS、R-T、Hall、MR、SQUID等性能分析方法与结构表征手段对样品进行了系统的研究,得出以下研究结果:1、利用射频磁控溅射技术制备了不同Li掺杂浓度的(In_0.96-xLi_xFe_0.04)₂O₃薄膜样品。XRD结果表明Li离子很好的进入了In₂O₃的晶格并引起了晶胞的收缩,体系中并无Fe、Li相关单质相或氧化物第二相的存在。XPS结果表明,Fe是以+2价和+3价混合价态存在于样品中,且体系中存在大量氧空位缺陷。XAFS分析结果表明Fe是以替位In³⁺的形式进入In₂O₃的晶格,Li掺杂浓度的增加并没有改变掺杂Fe的局域环境。Hall测试结果表明薄膜的载流子浓度随Li掺杂浓度的增加而减小,这是由于p型Li的替位掺杂会引入空穴来补偿样品中n型氧空位提供的电子,进而降低样品的载流子浓度以及增大电阻率。R-T测试表明薄膜中存在金属-半导体转变的输运行为,且随着Li掺杂浓度的增加,半导体导电行为逐步变得明显,且电子传导机制能很好地用Mott变程跃迁机制解释。磁电阻（MR）测试结果表明,在测试温度下,样品皆表现为负磁阻现象,且随着Li掺杂浓度的增加,负磁电阻有变为正磁电阻的趋势。磁性测量表明Li的掺杂能够明显提高体系铁磁性。Li原子与相邻的O原子间的轨道杂化作用可用来解释样品室温铁磁性的提高。2、利用射频磁控溅射技术制备了不同Fe掺杂浓度的(In_0.94-yFe_yLi_0.06)₂O₃薄膜样品。XRD分析结果表明Fe、Li共掺杂In₂O₃薄膜样品依旧表现为In₂O₃的立方方铁锰矿结构。XAFS分析结果表明薄膜中Fe元素是以+2和+3价的混合氧化态形式存在的,且Fe离子替位了In₂O₃中的In₁位置。Hall以及R-T测试表明,共掺杂薄膜的载流子浓度随着Fe掺杂浓度的增加而减小,电导机制能很好地用低温区的Mott变程跃迁机制以及高温区的硬带跃迁机制解释,显示了载流子强的局域特性。MR测试结果表明,10K温度下,随着Fe的掺杂,样品磁电阻实现了由负磁阻向正磁阻的转变,Fe的掺杂浓度与测试的温度可以影响正负磁阻对样品的贡献程度。样品全部表现出本征的室温铁磁性,饱和磁化强度M_s先增加后降低。O空位和Fe离子周围的强晶格畸变与铁磁性的产生存在密切的关系。