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ITO是有机光电器件应用最广泛的阳极,而其中不可再生资源铟在自然界存储量有限,太阳能电池、显示器件对ITO导电薄膜的需求日益增大,使得ITO价格水涨船高。加之ITO机械性能脆弱易碎,限制了器件的发展。为了寻求其替代品,近年来一维纳米结构如银纳米线(AgNWs)、碳纳米管(CNTs)等成为研究热点。本文针对这一问题对银纳米线的生长合成进行研究,成功合成了长径比良好的银纳米线,并将其制备成与ITO导电玻璃光、电性能相当的透明电极。1.银纳米线生长过程中的影响因素的研究。利用溶剂热法,以PVP为表面活性剂,引入氯盐作为晶种,乙二醇为溶剂和还原剂在高温下还原硝酸银,成功制备出银纳米线,并对其进行表征。制备的银纳米线直径为30nm~100nm,长度为15μm~25μm。研究了PVP与硝酸银不同摩尔比对银纳米线的影响,研究表明摩尔比为3:1时合成的银纳米线最为理想。研究了不同浓度下金属盐NaCl、FeCl3作为晶种的影响。研究表明NaCl为晶种且浓度为30μM合成的银纳米线产量最高。2.基于银纳米线的透明电极的制备研究。将制备的银纳米线通过离心的方法进一步提纯后采用旋涂的方法成功制备了透明电极,并对其进行表征和性能评价。研究了不同旋涂角速度的影响,结果表明转速越高透明电极的透明电极的表面电阻和光透过率越高。同时,增加旋涂次数会很大程度上降低其表面电阻。研究表明,当旋涂角速度为3000rpm,旋涂2次时,制备的透明电极方阻为10.42?/□,可见光透过率为85.1%,与ITO相当。本论文研究表明,溶剂热法能够合成较为纯净的长径比较高的银纳米线,并可将其旋涂于基片表面形成透明电极,其光学、电学性能均与ITO导电玻璃相当。