随着信息产业的飞速发展,对半导体集成电路的集成度要求越来越高,迫使场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,这是就将面对严重的短沟道效应。围栅Si纳米线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运特性,被视为可以将MOS器件尺寸缩短到极限尺寸的最理想的器件结构。本文对纳米尺度MOS器件制备中的电子束曝光、硅的干法各向异性刻蚀、氧化反应等关键工艺进行了系统研究。针对电子束曝光的邻近效应问题,通过优化版图设计,完成了邻近效应的修正；在各向异性刻蚀中,通过改变工艺条件,得到了硅刻蚀深度与横向线宽损失的比例,解决了光刻胶倒伏和硅的各项同性钻蚀现象；对于氧化反应中的氧化延迟效应,采用了降低温度,减小初始线条尺寸等措施,解决了悬空纳米线的尺寸、形貌、位置的不稳定性问题,成功制备出尺寸为8nm的硅纳米线。