随着显示技术日新月异的发展,量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diodes,QLED）因其简单的制造工艺、优异的色彩还原度以及高精度的分辨率等优点受到了广泛的关注。经过十几年的发展,QLED器件的亮度和外部量子效率（External quantum efficiency,EQE）可以基本满足固态照明与平板显示的商业化需求,但是,器件的稳定性与工作寿命仍然是QLED技术商业化道路上面临的重大挑战。影响器件稳定性的因素主要分为两个方面:（1）QLED芯片中功能层材料的性能衰退;（2）QLED器件内部载流子注入不平衡。针对以上两个影响QLED芯片稳定性的问题,本论文从选择空穴材料和优化器件结构的角度出发,提出了切实可行的解决方案。首先,通过选取更稳定的空穴材料来提升QLED器件的稳定性;其次,利用电荷转移机制来提升空穴传输,进而促进电荷平衡,改善器件稳定性。论文的具体创新点及成果如下:（1）通过采用无机空穴材料硫氰酸亚铜（Cu SCN）取代传统空穴注入材料制备QLED,从而提升器件的稳定性与光电性能。Cu SCN是一种资源丰富且低廉、空穴迁移率高、在红外波段有良好的透过率、热稳定性好且溶液可加工的材料。用Cu SCN替代传统空穴注入材料PEDOT:PSS作为空穴注入层（Hole injection layer,HIL）,避免了PEDOT:PSS水溶液呈强酸性腐蚀电极及易吸水影响器件稳定性的问题;高空穴迁移率使器件的空穴注入能力增强;Cu SCN合适的折射率也使得QLED器件在出光时的外耦合更合理。这些因素共同作用提升了器件的光电性能,制备的器件亮度、EQE及使用寿命分别提高了62.2%、22%和84.3%。（2）通过采用Cu SCN/TFB双空穴传输层制备QLED芯片来提升器件的稳定性与光电性能。将Cu SCN放置于PEDOT:PSS与TFB之间,利用Cu SCN材料本身优异的稳定性,减缓PEDOT:PSS的高强吸湿性对TFB的影响,进而改善器件的稳定性。同时,Cu SCN的最高占据分子轨道能级略低于TFB,Cu SCN/TFB双空穴传输层构成梯度能级,从而达到降低空穴传输势垒的目的,它与Cu SCN的高空穴迁移率共同作用提升器件内部空穴数目,促进载流子注入平衡。另外,Cu SCN具有很宽的带隙,能够形成阻挡电子溢出的能级势垒,进一步改善载流子平衡问题。基于Cu SCN/TFB的QLED器件亮度提高55%,EQE提高34%,器件的红移现象有较大的改善,达到了器件的效率与稳定性同时提升的效果。（3）通过聚乙烯基咔唑（PVK）与2,4,7-三硝基-9-芴酮（TNF）共混形成电荷转移络合物来提升空穴传输能力,解决空穴与电子注入不平衡的问题,从而提升QLED器件的性能和稳定性。受体材料TNF与施体材料PVK共混能够形成电荷转移络合物,产生载流子,提高单位时间内从空穴传输层注入到发光层的空穴数目。通过构建poly-TPD和PVK-TNF双空穴传输层结构的QLED器件,不但使空穴功能层的能级相互匹配,还提升了PVK的空穴迁移率,促使电子能够及时与空穴复合发光,避免产生大量的电子堆积对器件的稳定性产生影响。测试结果表明PVK-TNF电荷转移络合物可以有效的提高QLED的性能,亮度提高了106%,EQE提高了53%,分别达到了48174 cd/m~2和13.4%,启亮电压降低了0.6 V,同时器件寿命增长了57.8%。