稀磁半导体材料兼具磁性和半导体特性，在自旋电子器件有着广泛的应用前景。本论文在介绍Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体之后，分别介绍了“111”、“122”、“1111”、“32522”、“42622”等新型稀磁半导体材料。与传统的Ⅲ-Ⅴ族(Ga, Mn)As薄膜材料相比，这些新型稀磁半导体材料均实现了电荷与自旋的分离注入机制，为研究稀磁半导体材料提供了新的方向。同时这些材料能够方便的制备块状材料，使我们能够利用中子散射，核磁共振，μ SR等磁性测量手段对材料的微观磁性进行研究。　　我们通过在LaZnAsO的Zn位同时掺杂Mn和Cu成功制备了“1111”型块状稀磁半导体材料La(Zn1-2xMnxCux)AsO。在对材料进行磁性表征时发现，只通过(Zn2+，Mn2+)替代引入局域磁矩无法形成磁有序，只有同时经过(Zn+，Cu1+)不等价替代引入空穴型载流子，才能产生磁有序相。我们发现在外磁场100Oe下，样品的饱和磁矩在0.01μ B/Mn量级，我们认为该磁有序相没有形成铁磁长程有序，更像是自旋玻璃态。　　我们还在“1111”体系进行了大量的尝试，通过在Zn位掺杂Mn和其他金属元素合成了La(Zn1-2xMnxTMx)AsO(TM=Co，Fe，Ni)等系列多晶样品，通过磁性表征发现这些样品没有出现明显的铁磁有序相。