【摘 要】
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ZnO薄膜的制备和性能的研究,是一项国际前沿课题,它在光通讯,光存储,信息处理,光计算机,激光打印,全色显示等领域具有重要的应用价值.为了制备均匀的、高密度和低密度的ZnO光
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ZnO薄膜的制备和性能的研究,是一项国际前沿课题,它在光通讯,光存储,信息处理,光计算机,激光打印,全色显示等领域具有重要的应用价值.为了制备均匀的、高密度和低密度的ZnO光子点,我们探索了用阳极氧化法在绝缘石英衬底上制备氧化铝光子点.研究了氧化铝光子点的结构及其常温光致发光特性;并根据其相对强度和发射峰位置随氧化电压的变化关系,分析其强烈的紫外发射来源于与α-A12O3的F心,F+心相类似的氧缺陷.利用射频磁控溅射法在石英衬底上溅射一层氧化铝薄膜,用其作为缓冲层生长ZnO薄膜,并在高纯氧中退火,研究了退火对薄膜结晶性能的影响.优化制备和退火条件,得到了高质量的ZnO薄膜.XRD表明其具有高度的C轴择优取向和较大的平均尺寸;室温的吸收光谱出现了A,B激子吸收峰,低温下出现了A,B和C激子的反射光谱;室温光致发光谱仅有窄自由激子发射峰,这表明ZnO薄膜具有很高的质量.
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