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由于优异的光电性质,硫族化合物半导体纳米晶在光电器件和生物领域具有广泛的应用前景,近年来已经成为纳米材料研究中最活跃的领域之一。研究和开发简单的硫族化合物半导体纳米晶制备方法以及深入了解它们的物理化学性质对于它们的实际应用具有重要意义。本文重点研究了高沸点有机溶剂中Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体纳米晶的制备,以及纳米晶与Ti02纳米棒阵列复合后在光伏电池上的应用,取得了以下主要的创新结果：(1)采用热注入法在三辛基氧化膦和癸基膦酸中制备了CdSxSe1-x纳米棒。发现CdSxSe1-x纳米棒是由CdSe核心和CdS壳层组成的,纳米棒的长径比随着S/Se摩尔比的增加而增加,这是由于硒前驱体的反应活性比硫前驱体的高而导致的。实验进一步指出,核壳结构的形成使得纳米棒具有更高的荧光效率。(2)采用无注入法在十八烯和油酸中制备了CdSxSe1-x纳米晶。通过加入卤素离子,CdS和CdSe纳米晶的的形貌由球形变为多枝状,结构从闪锌矿变为纤锌矿,这是由于卤素离子的加入抑制了镉前驱体的反应活性导致的。通过这种方法制备的CdSxSe1-x纳米晶是合金化的,随着S/Se摩尔比的变化,纳米晶的尺寸几乎不变,而光学性质线性变化。(3)在油胺中制备了CuIn(SxSe1-x)2纳米晶。以CuInSSe纳米晶为例,研究了CuIn(SxSe1-x)2纳米晶的生长机理,发现由于铜前驱体的反应活性高于铟前驱体,CuIn(SxSe1-x)2纳米晶的形成分为CuSxSe1-x纳米晶的形成和CuSxSe1-x纳米晶与铟前驱体反应两个阶段,反应温度的改变和油酸等络合剂的引入都会影响铟前驱体的反应活性。(4)在十二硫醇中制备了具有量子限域效应的CuInS2纳米晶。十二硫醇与铜离子的络合作用平衡了铜铟前驱体之间的反应活性,并限制了CuInS2纳米晶的生长,使其尺寸小于激子波尔半径。十二硫醇对纳米晶表面缺陷的有效钝化使得CuInS2纳米晶具有室温荧光效应,荧光主要来源于“施主-受主”对复合。通过改变反应温度和添加络合剂能够调节CuInS2纳米晶的荧光峰位。(5)基于Ti02纳米棒阵列实现了硫族化合物半导体纳米晶的光伏应用。通过热处理,除去了纳米晶表面的有机物并使纳米晶成膜作为吸收层。对于n型的CdSe纳米晶,引入p型半导体CuSCN作为空穴传输层形成TiO2/CdSe/CuSCN三层结构,其光伏器件的光电转化效率为0.21%。对于p型的CuGaSe2和CdTe纳米晶,采用了TiO2/纳米晶双层结构。由于CuGaSe2纳米晶难以被烧结成连续的薄膜,严重的载流子复合使得TiO2/CuGaSe2双层结构没有表现出光伏特性,而CdTe纳米晶经烧结后变成了连续的薄膜,TiO2/CdTe双层结构的光电转化效率为0.07%。这些结果为进一步研制更高效率的全无机纳米晶光伏器件奠定了基础。