【摘 要】
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该论文的工作主要是用射频反应磁控溅射方法研究立方氮化硼薄膜(c-BN)的沉积和生长机制.现已成功地在金属触片上制出低应力的c-BN薄膜.它是一种层状结构的薄膜.表层是纯的立
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该论文的工作主要是用射频反应磁控溅射方法研究立方氮化硼薄膜(c-BN)的沉积和生长机制.现已成功地在金属触片上制出低应力的c-BN薄膜.它是一种层状结构的薄膜.表层是纯的立方相,在基片与c-BN之间是中间层E-BN.在高密度的电子环境中我们成功地得到了BN的另外一种高压相E-BN.同时对各个沉积参数的作用做了研究,确定了c-BN薄膜生长的最佳条件.关于c-BN薄膜的沉积机制,在总结前人的结果后,提出了相转变模型.很好地解释了本实验得到的结果.
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