脉冲激光淀积相关论文
综合介绍了TaO的特性以及在微电子、光学MEMS等领域的应用.根据作者的研究,设计、仿真与加工,介绍了TaO薄膜光波导的结构、加工工......
概述了超导YBaCuO123结构中Fe替代Y的研究结果和进展。利用准分子脉冲激光淀积技术制备了外延YBaCuFeO薄膜，其中x高达2.25。对外延......
为实现铁电薄膜和半导体硅的集成,本实验首先采用真空电子束蒸发法在Si(100)衬底上淀积一层为20nm层的AlO过渡层,接着在AlO过渡层......
本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜,并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析,X射线光电子能谱分析显示MgF2样品......
本文研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,采用金属Mg和烧结MgO陶瓷靶对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底......
本文采用一种全新的脉冲激光淀积(PLD)技术——离子束辅助的脉冲激光淀积(IBA-PLD)法,利用波长为532nm的Nd:YAG脉冲激光,进行了Si......
利用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＺｎＯ薄膜，ＸＲＤ表明，在１００℃～４００℃温度范围内制备的ＺｎＯ薄膜是高度Ｃ轴择优取向的，ＴＥＭ表明，ＺｎＯ薄膜的生长机制以柱状生长为主。......
我们采用脉冲激光淀积方法在（１００）ＳｒＴｉＯ３基底上制备了ａ轴取向外延的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ薄膜．通过采用活性氧，降低氧压和淀积速率，制备出了Ｔｃ超过８０Ｋ、表面平均粗糙度为４．４３ｎｍ的......
我们通过脉冲激光淀积的方法在Y ZrO2 衬底上原位生长了Pb (Zr0 .6Ti0 .4 )O3/YBa2 Cu3O7-x双层薄膜 ,在此样品上利用电子探针分析......
超巨磁电阻(CMR)材料是国际上研究的热点之一。由于其在不同温度下复杂的物理现象以及在磁场下特有的磁电阻变化，因此无论是其理论......
该文采用脉冲淀积(PLD)技术在不同温度,不同取向的Si衬底上淀积出了SiC薄膜,退火后得到了高度择优取向的外延SiC薄膜,光致发光间接......
脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引......
用紫外脉冲激光淀积方法在 Pt/ Ti O2 / Si O2 / Si( 0 0 1)衬底上制备了 L a1-x Srx Co O3/Pb( Ta0 .0 5Zr0 .4 8Ti0 .4 7) O3( P......
利用脉冲激光淀积法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜 .采用不同的淀积氧气压 ,并分析了其对薄膜微观结构和......
介绍了实用化宽波段光学镀膜窗口的研制过程,研制的光学窗口实现了从可见至远红外波段使用同一光学器件工作的目标,主要波段透过率......
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用......
本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜，并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析，X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具......
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用......
文章阐述了光辅助外延生长的基本原理，光辐射增强生长速率主要有：光分解、光催化和光的热分解三种机制；介绍其在半导体材料外延生长中......
本文对高T_c超导薄膜的原位制备进行了初步的探索,利用脉冲激光淀积法成功地在600℃的衬底上原位制备出零电阻温度T_c(R=0)>84K,Δ......
在不同的衬底温度下，通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜．ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力......
利用脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的ZnO和Zn0.9Mn（0.1）O薄膜.光致发光结果显示了Mn的掺杂引起了薄膜的带边发射......
利用脉冲激光淀积（PLD）技术在6H—SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜．利用X射线衍射（XRD），反射式高能电子衍射（RHEED）和同步辐射掠入射X射线衍射（S......
用脉冲激光淀积方法在Ｐｔ／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／Ｓｉ（００１）衬底上制备了掺Ｔａ的ＰＺＴ薄膜，此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Ｓｃｈｏｔｔｋｙ场发射机制起主要作用。扫描......
在不同的衬底温度下，通过脉冲激光淀积（PLD）方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射（XRD）和广延X......
研究了单端加载铁电叉指电容的微带半波长谐振器的压控特性.铁电材料为LaAlO3衬底上脉冲激光淀积的SrTiO3,叉指电容电极为金.测量......
我们用熔融法制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３氧化物超导体，其超导转变温度２８．５Ｋ，零电阻温度２５．２Ｋ．以此为靶，用脉冲激光淀积技术，制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３超导薄膜，Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝２４．５Ｋ，Ｔｃ（Ｒ＝０）＝２０．８Ｋ．......
利用两种脉宽(30ns,500fs)的KrF准分子激光展开了淀积类金刚石薄膜的实验研究,并且成功地制备了大面积不含氢成分的HF-DLC薄膜,运......
介绍了实用化宽波段光学镀膜窗口的研制过程，研制的光学窗口实现了从可见至远红外波段使用同一光学器件工作的目标，主要波段透过率在......
报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在（００１）和（０１２）蓝宝石衬底上制备ＬｉＴａＯ３光波导薄膜的实验研究。利用Ｘ光衍射和Ｒａｍａｎ光谱术鉴定所生长薄膜的微结构，研究了......
采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电......
用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4-xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x......
钛酸钡（ＢａＴｉＯ３，ＢＴ）是钙钛矿结构的铁电晶体，它具有优良的电光和非线性光学性质。用它制成的铁电薄膜在高密度的动态存储器和非易失性铁电随机存......
采用脉冲激光淀积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.XRD、TEM和AFM分析表明,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整......
研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密......
随着现代电子设备信息处理量的扩大，通信载波频率必须向更高频的频率区移动，例如正在开发的（9000M/1.8GHz）GMS系统。声表面波（SAW）滤波器......
随着超大规模集成电路的发展，寻找能够替代目前使用的电容器件Si基材料是一项急待开展的研究课题。在64Mb动态随机存储器（DRAM）电容材......
