本文主要研究了球形量子点—量子阱结构(球核／内壳层／外壳层分别非极性／极性／非极性半导体材料构成)中的振动本征模和电子—声子相互作用的问题。首先，我们利用连续介质模型讨论了该结构中的体纵光学模和界面光学模。推导出界面光学模的本征频率，数值计算了ZnSe(内壳层材料)量子点—量子阱结构中的界面光学模能量随阱宽的函数关系。计算结果表明：该结构中的界面光学模本征频率既依赖于阱宽又依赖于角量子数l。每个角量子数l对应两支界面光学模，并且随阱宽的变窄，其中一支模的本征频率增加而另一支模的本征频率减小。随后，我们对振动模量子化，得到极化势(polarization potential)的量子化表达式，并在此基础上求出了电子与体纵光学声子和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿量。