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InP HBT以输出电导和基极电阻小、发射极耗尽电容低、击穿电场高、热导率好、相位噪声低、工作频率高等独特的优点,广泛应用到短毫米波放大器、压控振荡器等器件中,在航天、隐匿武器探测、军用、航天领域起到了重要的作用。本文主要是基于InP HBT的小信号模型和大信号模型,进行压控振荡器和放大器设计,主要包括小信号模型设计的220GHz的MMIC放大器、大信号模型设计的70GHz的MMIC压控振荡器以及180GHz的MMIC压控振荡器,为后期340GHz的功率放大器和压控振荡器的设计提供宝贵经验,简要介绍下本文的内容。(1)基于InP HBT的小信号模型,管芯的栅宽为0.5μm,采用三级级联放大结构,实现220GHz的MMIC放大器的设计,版图联合仿真结果表明,增益在220GHz的时候达到3.8dB,输入输出回波损耗均优于10dB。对流片后的电路进行测试,得到如下结果,在180GHz的时候电路增益达到6dB,在220GHz的时候增益为2dB,输入回波损耗优于10dB,输出回波损耗优于9dB。(2)基于InP HBT的模型设计的70GHz的压控振荡器,管芯的栅宽为1μm,采用双层工艺,传输线采用倒置微带线,电路结构为差分式结构,变容管采用的是晶体管的发射极和集电极相连的结构,缓冲电路采用射级跟随器,以防止外部电路阻抗变化对振荡环路的影响过大。版图联合仿真结果表明输出功率为-2.92dBm,调谐频率在72.4GHz到74.3GHz。(3)基于InP HBT模型设计的180GHz压控振荡器,管芯的栅宽为0.5μm,采用双层工艺,差分式电路结构,缓冲电路为射级跟随器。仿真结果表明:输出频率为180GHz,在偏离载波频率10MHz处,其相位噪声为-92dBc/Hz,输出功率为-0.7dBm。