多弧离子镀和磁控溅射复合制备(Ti,Al)N薄膜研究

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TiAlN作为一种新型的薄膜,因为其本身具有抗氧化温度高,导热效率低,高硬度,膜基结合力好,摩擦系数小等突出的优点,在高速切削钢,钛、铝合金等材料领域应用广泛。目前制备TiAlN薄膜的主流方法是多弧离子镀技术和磁控溅射技术。然而正确的控制TiAlN薄膜中Al和Ti的比例比较困难,采用合金靶或镶嵌靶等方法都面临着制备一系列靶材的问题。本论文采用多弧离子镀和磁控溅射相结合的方法在高速钢(W18Cr4V)基体上制备了(Ti,Al)N薄膜,实现了控制TiAlN薄膜中Al与Ti的比例目的,进而可望获得不同Al/Ti比例的(Ti,Al)N薄膜。探讨了不同工艺参数对TiAlN薄膜的表面形貌与成分,膜基结合力的影响规律。结果表明:1.N原子百分比为0,Fe原子百分比为50.65时,基体表面没有成膜。2.当Al+Ti/N>2.69时,基体表面没有形成TiAlN薄膜,在其表面形成的是金属或金属化合物。3.当0<Al+Ti/N<2.69时,可以形成TiAlN薄膜,并且当Fe含量小于等于10.69时膜层晶粒粗大,当Fe含量大于等于25.23时,膜层表面晶粒细小。4.当Al+Ti/N=0.69,Fe=21.75,Al/Ti=0.35时,可以形成TiAlN薄膜且晶粒粗大。5.当Al+Ti/N=1.10时,膜基结合力达到最大值为47.7N.
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