ZnO薄膜是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特点,因此,被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料,在平面显示器、太阳能电池透明电极、表面声波材料、发光元件以及压敏电阻器等光电器件领域有着广阔的应用前景。近年来受到越来越多研究者的注意,成为半导体领域里的一个研究热点。ZnO薄膜的制备方法很多,比如磁控溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、MOCVD和分子束外延等。然而溶胶-凝胶方法设备简单、易于实现原子级掺杂,而且不受基片种类的限制。本论文采用溶胶-凝胶法结合旋转涂覆工艺,以二水合醋酸锌、乙二醇甲醚、乙醇胺为反应物,在普通玻璃衬底上制备ZnO薄膜。通过X射线衍射仪以及紫外-可见光分光光度计等分析仪器,研究了预热处理温度、退火时间、退火温度、退火气氛、溶胶浓度以及涂膜层数对ZnO薄膜的结晶质量、光透过性方面的影响,着重探索了本实验条件下获得高度c轴择优取向性、光透过性能较好的ZnO薄膜的制备工艺。研究表明,采用溶胶-凝胶方法在普通玻璃衬底上制备ZnO薄膜的最佳条件是:350℃预热处理、600℃退火、退火时间选择2 hor、空气气氛退火、溶胶浓度为0.4 mol/L、涂膜4层。在对单晶硅衬底研究的基础上,结合载玻片上制备性能良好ZnO薄膜的工艺参数,以单晶硅片为衬底制备高度c轴择优取向、光透过性能良好的ZnO薄膜,并利用荧光分光光度计对该ZnO薄膜室温下的光致发光性能进行了系统的研究。最后,对ZnO薄膜在各个制备环节的机理进行了细致的阐述,并对实验过程中遇到的特殊现象进行了分析和讨论。