硅基应变材料的生长技术经历了MBE（分子束外延）、UHVCVD（超高真空化学气相淀积）和LPCVD（低压化学气相淀积），目前已发展到适于批量生产的RPCVD（减压化学气相淀积）。但与生长技术密切相关的生长机理及生长动力学模型的研究远远落后于生长技术的研究，严重影响了硅基应变材料生长技术的发展。本论文的主要工作就是研究SiGe材料的CVD生长机理与生长动力学模型。基于气体的碰撞理论和吸附理论的研究，论文重点研究并建立了硅基应变材料表面生长动力学模型；并进行了硅基应变与弛豫材料的RPCVD生长实验，将生长速率实验值与模型计算值进行了对比，发现低温时精度较高，高温时误差较大。根据上述实验结果以及硅基应变材料CVD生长特性和Grove理论研究，论文又首次提出了硅基应变材料的CVD生长流密度模型，即分立流密度模型；并基于分立流密度模型，对高温下生长速率进行了验证，误差较小。