通过在Si BJT基区引入Ge，形成了基区禁带宽度较窄的SiGe异质结双极晶体管。与传统的Si双极型晶体管相比，它具有更高的频率特性，因而在微波高频段工作有很大的潜力。SiGe技术具有GaAs高频低功耗的优点，与Si工艺兼容因此工艺成本低，并且其噪声性能优于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体器件，在高速和微波领域具有广泛用途。　　本课题主要研究SiGe异质结双极晶体管设计与工艺实现。以0.5μmSi基微波器件研制生产线为平台进行SiGe HBT的研发。论文主要阐述以下几个方面内容：研究SiGe材料特性及其材料制备的方法；研究SiGe HBT器件特性，通过分析完成SiGe HBT集电区、基区、发射区的纵向结构设计以及横向设计；通过工艺实验，如SiGe自终止腐蚀方法，PtSi合金形成良好欧姆接触等，确定了工艺方案并进行了流片，解决了流片中存在的工艺问题并进行了优化，从而提高了器件特性。　　通过工艺流片，完成了SiGe HBT器件的试制，经过封装测试，SiGe HBT器件直流参数为Vbef=0.9V,BVebo=3.6V,BVcbo=25V，BVceo=8V，电流增益β=70；在Vce=3.5V，Ic=25mA条件下截止频率fT=11GHz，在频率1GHz下测得小信号增益典型值为14dB，噪声典型值为1.7dB。器件具有良好的高频低噪声特性。