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非挥发性存储器（NVM）应该具有以下特性,如高密度、低成本、快速的读、写访问、低功耗、高耐疲劳性和长的保持性。硅基闪存（Flash）器件由于高密度和低制备成本,成为目前性能最为优良的非易失存储器,然而闪存却具有很低的耐疲劳性和读写速度以及高的读取电压。铁电存储器和磁阻存储器仅用于少量特殊领域,属于利基型存储器。主要是因为铁电存储器和传统的磁阻存储器在器件可微缩性方面表现欠佳,根本无法达到目前Flash水平的存储密度。为了解决现有非挥发性存储器所面临的问题,人们提出并探讨了许多替代技术概念。其中,基于电致阻值反转的非挥发存储器备受关注,这一类存储器通常总称为阻变存储器（resistance switching random access memory）,简写作RRAM。钙钛矿金属氧化物,由于A、B容易被其他原子取代后,改善薄膜的性质,引起了科学家极大的研究兴趣。本文中,我们主要研究SrTiO3薄膜及对其La、V掺杂的电阻开关特性。在论文的第一章介绍了近几年来阻变存储器的研究进展,及阻变机制与电流机制。并在章节最后说明了本论文的选题依据。在第二章介绍了溶胶-凝胶（sol-gel）法制备薄膜的原理和实验器材、流程,并详细讨论了配制前驱液过程中的影响因素和注意事项,得出最佳的实验方案。第三章我们利用溶胶-凝胶（sol-gel）法结合高温退火的方法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了钛酸锶薄膜。我们利用原子力显微镜（AFM）,X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）等分析手段分别对其表面形貌、薄膜厚度和微观结构进行了表征。电学性质用吉士利4200测量。设置低的限制电流（Icc）,产生双极开关行为,增大限制电流到0.1 mA,实现软击穿,出现单极开关行为。双极转换行为机制可能是介面效应,而单极转换机制为体效应,可以解释为导电细丝理论。双极漏电流机制主要是肖特基机制,而单极低阻态漏电流为欧姆传导,高阻态则为空间限制电流效应（SCLC）。第四章我们采用溶胶凝胶法（sol-gel）在Pt/Ti/SiO2/Si基片上分别制备出La3+和V5+掺杂钛酸锶薄膜。Sr0.99La0.01TiO3在低电压和低限制电流表现出双极开关性质,高电压和高限制电流下表现出了单极开关性质,而且可以实现单双极的相互转换。SrTi0.99V0.01O3在低电压下双极行为的高低阻比值可达4个数量级,远高于未掺杂的薄膜。