原位固相合成MgO晶须及其生长机理研究

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非金属晶须和金属晶须等无机晶须因其晶体结构完整,强度和模量接近晶体材料的理论值,使其可作为增强体应用于聚合物和金属复合材料中。非金属晶须的强度、耐热性和耐腐蚀性等综合性能优于金属晶须,是无机晶须中较为重要的一类。与SiC晶须、SiN晶须、ZnO晶须、莫来石晶须、钛酸钾晶须、硼酸铝晶须、硫酸钙晶须、碳酸钙晶须以及镁盐晶须等非金属晶须相比,MgO晶须的熔点高达2800℃,且具有较高的强度,很适合作为复合材料的增强相。此外,与其它非金属晶须相比,MgO晶须与镁合金基体之间具有更好的界面相容性,使其成为镁基复合材料等金属基复合材料中很有前途的晶须。目前,虽已采用气相法、液相法制备出了长径比高、直径分布均匀的MgO晶须,但由于气相法合成温度高达10001500℃,且设备复杂,生产成本高,且液相法大多需制备前驱体,工艺过程较为复杂,大大限制了MgO晶须的工业生产与应用。原位合成技术(In-Situ)是近年来发展起来的一项具有产品成本低、可近终成形,增强相热力学稳定、尺寸细小、分布均匀,增强相与基体间界面无杂质污染、界面结合相容性良好等优点的先进制备技术。目前,原位合成技术已经在制备Al2O3、TiC、SiC、TiN、TiB2、Si3N4等增强相方面得到了应用,但由于原位合成技术发展历史较短,大部分工艺和反应体系尚处于试验和开发研究阶段。此外,如果反应过程控制不当就会生成有害化合物而使金属基体力学性能降低,因此其从实验室转向工业化生产还需要进一步研究和探索。考虑到该技术还没有应用于MgO晶须制备中,因而研究原位固相合成MgO晶须的制备工艺和生长机理对于MgO晶须增强镁基复合材料的开发有着十分重要的理论与实验意义。本文在系统总结镁基复合材料和MgO晶须研究进展基础上,以AZ91D合金粉体、H3BO3为原料采用原位固相合成法探索了制备MgO晶须的工艺条件,并采用XRD、SEM、EDS研究了MgO晶须的生长机理。研究结果表明:(1)采用原位固相合成法,以Mg和B摩尔配比为15:4的AZ91D合金粉体、H3BO3为原料,在烧结温度800℃、保温时间2h工艺条件下可以制备出长度3μm,直径0.1μm,长径比为30的MgO晶须;(2)通过对MgO晶须的形成过程理论分析及烧结各阶段产物的化学分析,认为MgO晶须是在熔融B2O3上以SLS机理方式形核长大。
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