为了适应现代工业技术蓬勃发展的需求,铜（Copper,简称Cu）材料需在保证良好导电导热的基础上,有较高的强度。因此,通过在Cu基体中引入合适的增强体,充分发挥基体与强化相的协同作用,制备高综合性能Cu基复合材料成为了研究热点。具有众多优异物理和力学性能的碳纳米管（Carbon nanotube,简称CNT）和石墨烯（Graphene,简称GR）,是Cu基复合材料的理想增强体。然而由于CNT、GR的强范德华力以及与基体Cu之间的弱界面结合,限制了其对Cu基复合材料的增强效果。因此,本文以碳纳米材料/Cu复合材料的结构设计、增强体的均匀分散、增强体与基体的良好界面结合为出发点,探寻一种新的增强体—碳化聚合物点（Carbonized polymer dot,简称CPD）,进行CPD/Cu复合材料的制备、结构和性能的研究。得出如下结果:（1）对CPD的合成进行探究且首次将其成功应用于Cu基体:通过调节水热反应原料比值（乙二胺（Ethylenedia,简称EDA）:柠檬酸（Citric acid,简称CA））,合成具有不同形貌结构的CPD,通过粉末冶金法将其与Cu粉混合、烧结得到CPD/Cu复合材料。对CPD/Cu复合材料进行力学、电学和热学性能测试发现,随着EDA:CA增加,CPD的粒径增加,复合材料的力学、电学和热学性能先增加后降低。其中,当EDA:CA为1:1时,CPD1/Cu复合材料的抗拉强度高达312.1MPa,断后延伸率34.3%,电导率97.2%IACS,热导率395.3 W/（m·K）,相比纯Cu对比样分别提高了20.0%,114.4%,5.4%IACS,88.5 W/（m·K）。说明CPD的添加,使Cu基复合材料的力学、电学和热学性能均提高到较高的水平,且强化效果优于CNT和GR。（2）研究热处理CPD对Cu基复合材料力学和电学性能的影响:通过对水热合成的CPD进行不同温度的热处理,发现随着热处理温度的升高,CPD的核壳结构发生变化,表现为sp~2C/sp~3C先增加后降低（CPD表面的官能团和聚合物链在高温下发生分解碳化,生成大量的sp~2C;当热处理温度高达900℃时,CPD的结构大多被破坏,生成大量的sp~3C）。复合材料的力学和电学性能均随着CPD核壳结构的变化先增加后降低。然而,未经热处理的CPD对Cu基复合材料的增强效果更突出,说明CPD的结构完整性及适量的sp~3C对复合材料的力学和电学性能增强作用更突出。（3）研究CPD的结构演变对Cu基复合材料力学和电学性能的影响,发现复合材料的力学和电学性能均随着CPD质量分数的增加而先增加后降低（CPD团簇数量和尺寸增加,发生一定程度的团聚）。通过复合材料的微观组织,发现CPD-Cu界面处原位形成的过渡区,改善了界面结合。此外,CPD特有的结构使得试样在拉伸时,优先牺牲自身的非晶网络结构以分散能量从而使得复合材料具有更高的延伸率。随后,对CPD/Cu复合材料的导电机制进行讨论,发现该复合材料的电阻主要由声子、晶界、位错以及CPD散射导致。但与纯Cu对比样相比,该复合材料的电导率仍然提高,得益于CPD优异的电子传输能力及良好的界面连接。（4）研究CPD/Cu复合材料的界面结构和性能:烧结温度提高,复合材料中CPD-Cu配位键、CPD纳米团簇被破坏,界面处过渡区厚度增加,复合材料的力学和电学性能降低。另外,CPD的添加使Cu基复合材料实现低温致密化,具体表现为:当烧结温度仅为550℃时,复合材料的相对密度达到99.4%,且力学和电学性能均达到最佳值。这是由于CPD含有的活性碳原子在相对较低的温度下发生快速扩散且复合材料在烧结过程中由于CPD被还原使局部温度升高导致。最后,通过探讨550℃烧结的CPD/Cu复合材料试样强化机制,发现该试样强化主要有细晶强化、位错强化和载荷传递三部分构成,且载荷传递贡献率最大。本文为制备高强高导的Cu基复合材料提供理论依据和实验参考。