作为第三代半导体的典型代表,SiC具有较好的机械性能、亲水性能、热学性能,同时,它还具有较好的光学性能和电学性能。SiC材料具有包括零维、一维、二维和三维等在内的多种构型,其中,SiC三维材料不但较好的保持了一维材料和二维材料的性能,还具有一些特殊的性能,比如较高的比表面积、更高的光吸收效率、更快的界面电荷转移速度还有可调节的电荷传输能力。这就使SiC三维材料的应用范围比其他材料更加广泛。SiC三维材料越来越受地到人们的关注。因此,通过开发多种方法直接或者间接合成SiC三维材料以满足各领域对其日益增加的需要激发了研究者们诸多的兴趣。到目前为止,合成SiC三维材料的方法主要有渗透法、抽滤制坯法、真空成型与烧结结合法、凝胶浇铸法、化学气相沉积法、碳热还原法等多种方法。在这些方法当中,碳热还原法因制备纳米材料所需要的原料廉价易得、产量较大而备受青睐。本文利用应用广泛的碳热还原法制备出了以三维网络结构为主要构型的SiC纤维基多孔陶瓷材料,并对该材料以及材料改性后的光致发光性能等进行了测定。本文的研究重点主要集中在以下几个方面。1、我们利用常用的碳热还原反应法,以蔗糖、正硅酸四乙酯分别作为反应的碳源和硅源,探究了合成碳化硅基纳米纤维及骨架结构所需要的温度范围、催化剂的使用等因素对碳化硅纤维和骨架结构生成的影响,同时,我们对正硅酸四乙酯水解促进剂的酸碱性对材料结构的影响做了初步探究。2、我们探究了在1300 ~oC的保温条件下以酚醛树脂、正硅酸四乙酯作为碳热还原反应的碳源和硅源时碳化硅三维网络结构制备过程受催化剂、水解促进剂的加入顺序的影响。我们对已经制备出的碳化硅三维网络结构的形成机理进行了解释。另外,我们还对已经制备出的碳化硅三维网络结构的光致发光性能、电学性能作了测试、研究。3、我们利用甘油针对研究内容2中材料的进行了钝化,并对改进后的碳化硅三维网络结构的光致发光性能作了研究。同时,我们还对甘油钝化后的材料的光致发光机理作了解释。