单级隔离SWISS型三相AC/DC变换器研究

来源 :南京航空航天大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wjran2008
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随着新能源技术的推广,能高效利用各类能源、兼容过往技术的交直流混合微电网技术得到了快速发展。连接交直流电网的AC/DC变换器是混合微电网的重要组成部分。高效率、低成本、小体积、稳输出是变换器研究上始终追寻的目标,三相AC/DC变换器拓扑结构以及控制策略仍有待发展。同时,随着材料技术的发展,功率半导体器件也进入宽禁带时代,各种高性能的第三代器件开始挑战传统硅基器件的主导地位。结合应用需求以及新器件的发展,本文研究高性能模块化三相双向AC/DC变换器技术。论文首先研究了Si C MOSFET的应用技术,高频开关的Si C MOSFET桥臂的串扰问题严重影响器件工作的可靠性。首先分析了串扰的产生机理,建立了桥臂串扰问题产生时的简化等效电路模型,指出串扰是由其体二极管的反向恢复电流在源极寄生电感上产生的di/dt以及漏源极寄生电容充电产生的dv/dt而引起。从串扰分析模型出发,结合Si C MOSFET栅极寄生电阻较高的特点,指出多电平驱动是较优的可选方案,并由此设计了一种新颖的多电平驱动电路。该栅极驱动电路采用磁隔离技术,在无需额外隔离驱动电源的情况下产生两个负栅极驱动电平以取代传统驱动方案中的一个负电平和一个零电平,能够为串扰产生的正向和负向脉冲提供合理的驱动电平。同时该驱动电路还能够提供一个短暂的高电平来加速Si C MOSFET的开通,并且在开通后切换至稳态导通所需的另一个高电平。这种四电平驱动电路可以有效确保Si C MOSFET的栅源极电压在桥臂结构中应用时处于安全范围,提高器件工作的可靠性。论文接着对三相AC/DC变换器的拓扑结构进行了研究,对比了电压源型与电流源型AC/DC变换器各自的优势,指出电流源型AC/DC变换器由于存在直流电感,具备固有的浪涌电流限制能力,节约了额外的启动预充电配套电路,且直流侧易挂接电池性负载,在交直流电网应用中具备较强的竞争力。同时,结合电网的电气隔离以及高功率密度的需求,研究电流源型单级式隔离且具备高频软开关能力的三相AC/DC变换器拓扑具有重要的研究价值。现有的电流源型单级式高频隔离AC/DC变换器基于非隔离SWISS型整流器拓扑衍生而来,结构简单,在混合使用Si与Si C器件时具有效率高的优势,但是采用正激型结构会造成高频器件开关损耗大、隔离变压器利用率低的问题。为了有效利用SWISS型变换器在新器件应用以及在单级隔离式拓扑衍生上的优势,本文建立了SWISS型变换器的调制原理模型,为基于现有的DC/DC拓扑衍生出一系列的单级隔离SWISS型AC/DC变换器奠定了理论基础。论文推导了SIWSS型变换器的开关函数模型,用于指导此类变换器的控制器设计。在SWISS型变换器基本原理和控制策略研究的基础上,结合全桥结构的特点,提出了一种适合Si与Si C器件混合使用的基于双全桥结构的单级隔离SWISS型AC/DC变换器,并提出了一种新型的调制策略解决了两组全桥的功率耦合问题,同时实现了主要功率器件的软开关。论文还指出了高频隔离变换器漏感对电流源型AC/DC变换器网侧电流畸变的影响,通过数学模型证明了交流电流中的第(6N±1)次谐波与漏感造成的占空比丢失之间的关系。为改善所提出的单级隔离SWISS型AC/DC变换器的电能质量,提出了相应的补偿策略,实现了高频隔离电流源型AC/DC变换器的高质量运行。在对基于双全桥结构的单级隔离SWISS型AC/DC变换器深入研究的基础上,针对其存在的需要两个同等变换器额定功率的隔离变压器以及功率回路上开关管数量多的缺点,又提出了一种基于中点箝位全桥结构的单级隔离SWISS型AC/DC变换器。通过开关管的位置结构调整,在没有增加开关器件的基础上,构造了变压器端电压箝位支路,突破了高频隔离SWISS型AC/DC变换器需要两个隔离型DC/DC拓扑来实现单位功率因数控制的限制,从而精简了高频隔离变压器的数量,提高了变压器的利用率。新电路拓扑可以完全继承原有拓扑的调制策略与控制方式,实现了高频功率管的导通损耗优化,进一步提升了电流源型AC/DC变换器的功率密度。上述研究系统性地给出了Si C器件和Si器件混合使用的高性能三相双向AC/DC变换器技术,为分布式交直流微电网的接口变换器提供了创新性解决方案。
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