纳米线因其特殊的一维构造、优良的可组装性以及特殊的物化特性而引起人们的极大兴趣。无机盐纳米线具有柔韧性高、表面活性位点多以及成本低廉等特点,可作为吸附材料、过滤材料以及增强增韧材料等应用于机械、纺织、塑料、环保等各个领域。因此寻找可量产、低成本、制备方法简便的纳米线具有重要的科学意义和潜在的应用价值。本文以KHpht（邻苯二甲酸氢钾）作为络合剂,MgSO₄和NaOH为原料,采用络合-水热法合成了MOS（碱式硫酸镁）纳米线;分析了KHpht在制备MOS纳米线过程中的络合作用及吸附作用;并对MOS纳米线的结晶动力学进行了研究。主要内容包括以下几方面:通过单因素实验考察了反应条件对制备MOS纳米线形貌的影响。通过对产物形貌和结构的分析,确定了制备MOS纳米线的较优条件,即无水乙醇为分散剂,MgSO₄溶液浓度控制在0.3 mol/L;KHpht与MgSO₄摩尔比为1.1:1,NaOH与MgSO₄摩尔比为2.5:1,水热合成温度160°C,反应时间10 h。所得到的产物形貌均匀、杂质较少,直径在20-100 nm之间,长度在20-60μm之间。采用电位滴定法分析了pht^2-与Mg²⁺的络合作用;采用仪器分析对pht^2-的吸附作用进行了研究。结果表明:pht^2-与Mg²⁺发生络合反应,使得体系中游离的Mg²⁺浓度大幅降低,过饱和度也随之降低;MOS晶体表面存在着Mg-pht的化学键合作用,由于各晶面的晶格排列方式不同,使得pht^2-在MOS晶体侧面吸附比例大于纵向生长面,抑制a轴和c轴方向的生长从而促进了MOS纳米线沿b轴的生长。采用MATLAB软件处理数据,结合结晶动力学方程,确定了MOS纳米线的结晶动力学模型参数。通过对晶体几种可能的生长机理模型进行研究发现,不同温度下的结晶动力学模型有所不同:在较低温度140°C和160°C时结晶动力学模型为MA-1,结晶机理为多核控制晶体表面生长;在较高温度180°C和200°C时结晶动力学模型为MC-1,结晶机理为线性控制晶体表面生长。