随着现代信息技术的发展,功能陶瓷材料在现代信息技术产业中的应用已经随处可见,例如：便携式电脑、移动电话、卫星通讯系统、介质基片、介电谐振器、电容器、天线滤波器等。具有钛铁矿结构的ATiO3(A=Ni, Pb, Fe, Co, Mn, Cu,and Zn)陶瓷材料,因其极好的电化学性能而被广泛应用于像氧化物燃料电池、气敏元件、高性能催化剂等领域。充分认识这类材料的介电性能不仅有助于深入理解这类材料的电化学性能,而且对于这类材料的实际应用非常重要。本文以MnTiO3和NiTiO3为研究对象,用固相反应法制备了陶瓷样品,对它们的低频(102～5×106Hz)介电性能做了系统的研究,得到的主要结果如下：1、MnTiO3陶瓷存200K以下的温度范围内显示出本征的介电响应,在室温附近出现了一个介电弛豫现角,这个介电弛豫在氧气退火处理后增强,在氮气退火处理后减弱,减薄样品表面厚度弛豫逐渐消失。这些结果表明MnTiO3陶瓷材料在室温附近出现的介电弛豫是一种由表面层效应引起的麦克斯韦瓦格纳弛豫。2、NiTiO3陶瓷样品在400K以下为本征的介电响应,在高于400K的温度范围内存在这两个热激活的弛豫,高温和低温弛豫的激活能分别是1.17eV和0.95eV,说明这些弛豫是与氧空位跳跃运动相关联的,进一步的实验表明这些弛豫是电导弛豫而不是介电弛豫,高温和低温弛豫分别是由一次和二次电离的氧空位引起的电导产生的。