钙钛矿太阳电池因制备工艺简单,效率提升迅速而引起国内外研究者的广泛关注。常用的有机空穴传输材料（如Spiro-OMeTAD）成本高昂,对器件稳定性有害,限制了钙钛矿太阳电池的商业化应用。无空穴传输层钙钛矿太阳电池具有器件结构简单、制备成本低廉和稳定性较好等优点,但较低的光电转换效率阻碍了它的进一步发展。本文提出表面p型掺杂策略来提高无空穴传输层钙钛矿太阳电池效率,构建了电池物理模型并对其进行了仿真模拟;同时,使用苯乙基碘化铵（PEAI）和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹啉二甲烷（F4TCNQ）对钙钛矿吸光层表面改性,制备出效率相对较高的无空穴传输层钙钛矿太阳电池,主要研究内容如下:（1）基于金属半导体接触理论,提出表面p型掺杂策略,使用wxAMPS软件验证并优化了这一策略在无空穴传输层钙钛矿太阳电池中的增效作用。首先,功函数会影响钙钛矿与电极间的接触类型,选用功函数大的电极材料并p型掺杂钙钛矿可以促进空穴的选择性抽取。其次,增加钙钛矿层厚度有助于无空穴传输层器件获得较高的短路电流,提升p型掺杂浓度可以提高开路电压和填充因子,从而提高器件效率。最后,表面p型掺杂可以减少掺杂带来的短路电流损耗,在保持高短路电流的同时,利用掺杂实现更高的器件效率。在对钙钛矿层厚度、表面掺杂深度和缺陷密度等进行优化后,无空穴传输层钙钛矿太阳电池实现了超过20%的光电转换效率,验证了表面p型掺杂策略的有效性。（2）利用PEAI和F4TCNQ对钙钛矿薄膜表面改性,提升了无空穴传输层钙钛矿太阳电池的光电转换效率。一方面,PEAI分布在钙钛矿晶粒表面,降低了钙钛矿薄膜的表面粗糙度,并且钝化了钙钛矿薄膜表面I空位缺陷,提高了开路电压;另一方面,F4TCNQ诱导钙钛矿薄膜表面p型掺杂,提高了填充因子和器件效率。因此,使用PEAI-F4TCNQ改性的无空穴传输层钙钛矿太阳电池具有更低的暗电流密度和电荷转移阻抗,展现出提升的开路电压和填充因子,实现了14.86%的光电转换效率。同时,与带有Spiro-OMeTAD空穴传输层的全电池相比,PEAI-F4TCNQ改性的无空穴传输层钙钛矿太阳电池具备成本优势,展现出较大的应用潜力。