零维金属硫化物四面体团簇具有纳米级尺寸、丰富元素组成、精确原子结构以及显著半导体特性。过去近三十年,基于此类簇基晶态材料的合成和性能探索一直成为学界关注的研究热点。零维金属硫化物四面体团簇可通过顶角硫原子共享组装模式形成簇基二维层或三维框架结构。通过团簇组装得到的晶态结构不仅保留了零维四面体硫化物团簇的固有特征,而且展现了二维层或三维框架的结构特点,有效结合了金属硫化物团簇的半导体特性和框架结构的孔洞性。然而,受制于有限的团簇种类与簇间连接模式类型,构筑基于此类团簇的新型晶态材料逐渐步入瓶颈期。通过调控反应条件来合成新型簇基硫化物晶态材料仍旧充满挑战,但富有意义。在本论文研究中,我们在合成方面创造了一种在晶格中可离散的零维纳米团簇,并通过在溶解热反应体系中引入高价金属离子拓展了零维四面体硫化物团簇的组装模式;在功能性方面,我们针对上述新型簇基晶态材料的光、电催化性能展开了进一步探究。本论文主要研究内容如下:(1)实现了零维四面体硫化物T4团簇在晶格中的离散;通过掺杂、分散和复合等手段构筑了 T4@g-C3N4复合光催化材料;借助其光催化产氢性能阐明了团簇离散化与能带结构调控对催化性能的影响。(2)通过四价金属的引入来调控团簇顶角的连接性,从而构筑了两例具有间断位点的簇基层状结构。(3)基于超四面体T2团簇,构筑了一例具有超大簇间连接角的gsi拓扑框架结构,为硫化物拓扑家族增添了新成员。