低电压低功耗nMOS与ECL电路设计研究

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论文根据降低电源电压是降低功耗的最有效手段这一原理出发,首先讨论了在采用不降低管子阈值的标准工艺时,传统nMOS电路和ECL电路在低电压下工作时遇到的困难,指出这是由于传统的nMOS电路和ECL电路采用了串联开关结构造成的,因而在电压低到一定值后,电路就不能正常工作。进而,论文提出了采用并联开关结构来设计nMOS和ECL电路的思想,并根据开关信号理论,分别为nMOS和ECL电路提出了几种将串联开关转换成并联开关的方法。在此基础上,论文从开关级设计了采用并联开关技术的适合于低电压电源工作的二值和三值nMOS电路和ECL电路。对设计的电路进行模拟和测试,获得的结果表明,采用并联开关技术设计的电路都具有正确的逻辑功能,其中二值nMOS电路在电源电压1.0V时,仍能正常工作,三值nMOS电路能在3.3V时正常工作;而二值ECL电路可工作于电源电压幅度1.2V以下,三值ECL电路可工作于电源电压幅度2.0V以下;所有设计的电路在低电压下均有较低的功耗。另外,采用并联开关的ECL电路比传统的采用串联开关的ECL电路具有更快的工作速
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