紫外探测器具有体积小、响应快、灵敏度高、成本低等特点,故此,紫外探测器在民用和军用等方面都有非常重要的应用价值,越来越受到人们的普遍重视。由于ZnO半导体具有生长温度低、电子诱生缺陷低、阈值电压低、高光电导特性、化学稳定性和热稳定性高等特性,所以ZnO紫外探测器的研究也随之得到了迅速发展。为了获得高性能的ZnO紫外探测器,研究者们从材料成分、材料尺度、器件结构等不同角度设计器件。本论文从器件结构方面构思,分别设计并研究了垂直p-n结紫外探测器和径向p-n结紫外探测器。具体研究内容包括：第一部分包括采用磁控溅射法制备NiO薄膜和溶胶-凝胶技术制备ZnO薄膜,将两种半导体材料结合在一起,构制出新型NiO/ZnO垂直p-n结薄膜紫外探测器。探究垂直p-n结紫外探测器的工作原理,对器件电学性能进行测试得知,相比ZnO薄膜器件,该器件暗电流降低了一个量级,开关电流比随之增大了一个量级,且响应速度也有所提高。第二部分包括利用化学气相沉积法和电化学沉积法制备出ZnO/CdS/CdTe核壳结构纳米线阵列。利用该结构设计出ZnO/CdS/CdTe核壳结构纳米线阵列径向p-n结紫外探测器,并阐述此结构器件的工作原理。对器件的电学性能进行测试表明,器件的响应速度为百毫秒量级。