(1-x)Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃-x(Ba_0.7Ca_0.3)TiO₃（BZT-xBCT）无铅压电陶瓷在准同型相界（MPB）附近的压电系数d₃₃高达620pC/N，是压电系数唯一接近铅基材料的无铅陶瓷体系。然而该体系的薄膜材料由于制备质量差，压电性能远低于陶瓷材料，目前报道的性能皆小于100pm/V。另外，BZT-BCT体系由于居里温度低于90oC，压电性能温度稳定性差，限制了其应用。本研究利用磁控溅射工艺制备BZT-BCT薄膜，针对溅射靶材成分难以准确控制的问题，分别制备BZT和BCT两块靶材，采用双靶磁控溅射沉积薄膜；针对磁控溅射薄膜质量较好，但难以晶化的问题，采用升温溅射工艺，并通过种子层的设计及溅射方式的调节制备高质量的薄膜，同时利用升温压电力显微镜研究薄膜压电系数的温度稳定性。研究结果表明，对于双靶共溅射的BZT-BCT薄膜而言，薄膜为纯的单相BZT-BCT，没有杂相，且为多晶膜，没有明显择优取向。随着晶化温度的提高，薄膜的粗糙度先降低后升高，在750oC时最小约为5nm，但薄膜整体粗糙度都小于8nm；薄膜的晶粒尺寸随着晶化温度的提高逐渐增加；在共溅射的薄膜中发现了明显的铁电畴结构，并且畴结构中面外畴的数量随晶化温度的增加整体上是增多的，其中在晶化温度为800oC时，发现了小于100nm的大量纳米畴。薄膜的压电性能整体上随晶化温度的增加而增加，主要取决于面外畴的数量，其中最小的压电系数为144pm/V，而在发现大量纳米畴的薄膜中，获得了最高的d₃₃值，达到了258pm/V。薄膜高温d₃₃测量结果表明，所有薄膜随着温度增加，压电系数都先增大再减小，在80oC前，d₃₃值皆大于100pm/V，最大的d₃₃值可达382pm/V，表明所有薄膜具有良好的温度稳定性。为了避免共溅射时辉光的相互影响，采用BZT和BCT薄膜分别溅射的工艺制备叠层结构BZT/BCT薄膜，并通过种子层的设计，优化薄膜质量。研究结果表明，通过LaNiO₃种子层的加入，薄膜的表面粗糙度降低，薄膜出现了明显的（100/001）取向，相结构明显优于未加种子层的薄膜。随着种子层厚度的增加，薄膜表面粗糙度先减少再增大，在种子层厚度为20nm时，获得最低的粗糙度约2.77nm，同时获得最强的（100/001）取向。薄膜在种子层厚度大于20nm时，都获得了良好的铁电性能，2Pr值约为50C/cm²。薄膜的压电系数都大于110pm/V，其中种子层厚度为20nm时，压电系数最大为158pm/V。