【摘 要】
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随着科学技术的发展,锗（锡）硫属化合物的研究一直都受到人们密切的关注,其中稀土配阳离子修饰锗（锡）硫属化合物是一类具有丰富结构的多功能材料,在非线性光学、半导体、磁性、离子交换、催化等领域具有广泛的应用和发展前景。由于硫属阴离子在普通反应条件下容易氧化,很难获得锗（锡）硫属化合物,高温固相直接反应是制备该类化合物的一种最常用方法。本文采用低温溶剂热法,制备了38种稀土配阳离子修饰锗（锡）硫属化合物
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随着科学技术的发展,锗（锡）硫属化合物的研究一直都受到人们密切的关注,其中稀土配阳离子修饰锗（锡）硫属化合物是一类具有丰富结构的多功能材料,在非线性光学、半导体、磁性、离子交换、催化等领域具有广泛的应用和发展前景。由于硫属阴离子在普通反应条件下容易氧化,很难获得锗（锡）硫属化合物,高温固相直接反应是制备该类化合物的一种最常用方法。本文采用低温溶剂热法,制备了38种稀土配阳离子修饰锗（锡）硫属化合物,对其进行X-射线单晶衍射、X-射线粉末衍射、紫外光谱、红外光谱等表征,并对部分化合物的光电流响应性能进行了初步探索。稀土N-（2-羟乙基）乙二胺配阳离子修饰硫代锗酸盐:以N-（2-羟乙基）乙二胺为结构导向剂,利用溶剂热法合成一系列稀土N-（2-羟乙基）乙二胺配阳离子修饰硫代锗酸盐[La2（hda）2（da）2（μ-Ge S3）2]（1）和{[Ln2（hda）2（da）2][Ln2（da）4]（μ-Ge S3）2}n·2n Cl[Ln=Pr（2）、Nd（3）、Sm（4）、Eu（5）、Gd（6）、Tb（7）、Dy（8）]。其中化合物1是由2个非饱和配阳离子[Ln（hda）（da）]2+和2个桥联锗硫阴离子[μ-Ge S3]2-键合成簇[La2（hda）2（da）2（Ge S3）2]。化合物2-8属于异质同构,是由非饱和配阳离子[Ln2（hda）2（da）2]4+、[Ln2（da）4]2+和桥联锗硫阴离子[Ge S3]2-相互连接成一维聚阳离子{[Ln2（hda）2（da）2][Ln2（da）4]（μ-Ge S3）22-}n链。化合物1-8的禁带宽度范围3.47-3.99 e V,显示出宽带半导体性能。稀土N-（2-羟乙基）乙二胺配阳离子修饰硫属锡酸盐:以N-（2-羟乙基）乙二胺为结构导向剂,利用溶剂热法合成两系列稀土N-（2-羟乙基）乙二胺配阳离子修饰硫属锡酸盐[Ln2（hda）2（da）2（Sn2Se6）]n[Ln=La（9）、Ce（10）、Pr（11）、Nd（12）、Sm（13）],[Ln3（da）5（Sn2Se6）][Ln=Eu（14）、Gd（15）、Tb（16）、Dy（17）、Ho（18）、Er（19）、Tm（20）、Y（21）],[La2（hda）2（da）2（Sn2S6）]n（22）,{[Ln2（hda）2（da）2][Ln2（da）4]（μ-Sn S3）2}n·2n ICl[Ln=Ce（23）、Pr（24）、Nd（25）、Sm（26）、Eu（27）、Gd（28）]和[Ln3（da）5（Sn2S6）][Ln=Tb（29）、Dy（30）、Ho（31）、Er（32）、Tm（33）]。化合物9-33一共有三种不同的构型,其中化合物9-13与22属于异质同构,是由[Ln2（hda）2（da）2]4+和[Sn2Q6]4-相互连接成1-D链状结构;化合物14-21和29-33属于异质同构,是由非饱和三核镧簇阳离子[Ln3（da）5]4+和锡硒二聚阴离子[Sn2Se6]4-键合成簇[Ln3（da）5（Sn2Q6）]（Q=S、Se）;化合物23-28的晶体结是由配阳离子[Ln2（hda）2（da）2]4+、[Ln2（da）4]2+和[μ-Sn S3]2-阴离子相互桥联,形成一维链状结构。化合物9-21的禁带宽度范围2.13-2.60 e V,和化合物22-33的禁带宽度范围2.73-3.46 e V,显示出半导体性能。并对化合物9-21进行光电流响应性能测试,研究表明化合物9-21表现出良好的光电流响应特性。稀土二甘醇胺配阳离子修饰硫代锡酸盐:以二甘醇胺为结构导向剂,利用溶剂热法合成一系列稀土二甘醇胺配阳离子修饰硫代锡酸盐[Ln4（dga）6Cl2（Sn2S6）]n[Ln=Sm（34）、Eu（35）、Tb（36）、Dy（37）、Er（38）]。化合物34-38的晶体结构是由非饱和配阳离子[Ln4（dga）6Cl2]4+和二聚体[Sn2S6]4-阴离子相互桥联,形成1-D链状结构。化合物34-38的禁带宽度范围2.50-2.82 e V,显示出半导体性能。
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