【摘 要】
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本课题组与英国伦敦大学电子和电机工程系Swanson教授的实验室合作，首次将光电子调制谱技术(OEMS)应用于多晶硅薄膜场效应结构，对晶粒间界陷阱能态进行研究。本文介绍了OEMS的
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本课题组与英国伦敦大学电子和电机工程系Swanson教授的实验室合作，首次将光电子调制谱技术(OEMS)应用于多晶硅薄膜场效应结构，对晶粒间界陷阱能态进行研究。本文介绍了OEMS的基本理论，并就检测结果的带隙展宽现象进行深入分析，提出多晶硅晶粒间界结构的氢化非晶硅模型。通过已有实验获得的OEMS响应谱和相延谱来分析多晶硅薄膜晶粒间界缺陷能态性质，确定出多晶硅晶粒间界a-Si：H结构的六个陷阱能态。对晶粒间界能态信息的有效获取和分析，是多晶硅薄膜材料及其器件在VLSI中应用的前提条件和研究的核心问题之一，因此本文的研究结果具有现实意义。
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