自石墨烯被发现以来，二维材料由于其特殊的电学、光学和磁学性能受到了广泛的关注。以二硫化钼为代表的过渡金属硫族化合物，凭借其优越的性能和独特的结构可望取代传统半导体材料，在场效应晶体管、高灵敏传感器、柔性电子器件方面有较大的应用前景。二硫化钨(WS2)作为过渡金属硫族化合物中的代表性材料，具有许多传统半导体不具备的优良光电性能。本论文对化学气相沉积法制备单层WS2材料的参数进行详细的探究，通过调控其反应温度、反应压强等参数，研究不同反应条件对单层WS2形貌的影响，并对WS2材料在场效应晶体管及压电纳米发电机应用的性能进行了测试，主要结果如下:　　1.采用化学沉积法，以高纯度的硫粉、氧化钨为原料，制备了大面积、高质量的单层WS2。研究表明在该环境下生长大面积单层WS2的最佳反应温度为1080℃，最佳反应压强为3Pa，最佳反应时间为10min、硫源钨源质量比为3.75。在该条件下能够得到尺寸在30～50μm的单层WS2产物。　　2.制备了基于机械剥离法得到的薄层WS2场效应晶体管，并测试了其电学性能，其载流子迁移率为4.27cm2V-1s-1，开关比为106，栅压对器件有良好的调控作用。　　3.制备了基于化学气相沉积法得到的单层WS2压电纳米发电机，在0.41％的形变作用下，可以产生40.84mV的电压输出和51.58pA的电流输出。在100次循环后，发电机仍然能够保持良好的稳定性，这为实际应用提供了可靠实用性。