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自石墨烯被发现以来,二维材料由于其特殊的电学、光学和磁学性能受到了广泛的关注。以二硫化钼为代表的过渡金属硫族化合物,凭借其优越的性能和独特的结构可望取代传统半导体材料,在场效应晶体管、高灵敏传感器、柔性电子器件方面有较大的应用前景。二硫化钨(WS2)作为过渡金属硫族化合物中的代表性材料,具有许多传统半导体不具备的优良光电性能。本论文对化学气相沉积法制备单层WS2材料的参数进行详细的探究,通过调控其反应温度、反应压强等参数,研究不同反应条件对单层WS2形貌的影响,并对WS2材料在场效应晶体管及压电纳米发电机应用的性能进行了测试,主要结果如下: 1.采用化学沉积法,以高纯度的硫粉、氧化钨为原料,制备了大面积、高质量的单层WS2。研究表明在该环境下生长大面积单层WS2的最佳反应温度为1080℃,最佳反应压强为3Pa,最佳反应时间为10min、硫源钨源质量比为3.75。在该条件下能够得到尺寸在30~50μm的单层WS2产物。 2.制备了基于机械剥离法得到的薄层WS2场效应晶体管,并测试了其电学性能,其载流子迁移率为4.27cm2V-1s-1,开关比为106,栅压对器件有良好的调控作用。 3.制备了基于化学气相沉积法得到的单层WS2压电纳米发电机,在0.41%的形变作用下,可以产生40.84mV的电压输出和51.58pA的电流输出。在100次循环后,发电机仍然能够保持良好的稳定性,这为实际应用提供了可靠实用性。