【摘 要】
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随着科技的发展,社会对高功率半导体激光器的需求越来越大,但是当激光器输出腔面的光功率密度超过6-15MW/cm2时,激光器很可能会发生灾变,从而严重的限制了激光器的功率输出,
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随着科技的发展,社会对高功率半导体激光器的需求越来越大,但是当激光器输出腔面的光功率密度超过6-15MW/cm2时,激光器很可能会发生灾变,从而严重的限制了激光器的功率输出,制约了高功率半导体激光器的应用。为了提高激光器的光学灾变（COD）阈值,进而提高输出功率,本论文采用了腔面镀膜的钝化方法。从薄膜光学原理出发,选用a-Si:H和SiO2作为镀膜材料,进行了膜系设计,利用磁控溅射镀膜机,通过测试和理论分析,找到了最佳工艺条件,成功制作了腔面膜。然后把优化后的a-Si:H薄膜生长工艺应用到激光器上,采用a-Si:H/SiO2高、低折射率材料做高反射膜,仅用3对就使反射率在808nm处达到97.79%,得到了较为理想的激光输出特性。
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