高性能低频吸收材料对于对抗低频雷达探测具有重要意义。然而,目前用于4 GHz以下的低频吸收剂的介电常数大、磁导率较小,在低频无法产生有效吸收,宽带吸波材料也普遍无法兼顾到低频。本文的研究工作针对降低吸收剂介电常数、提高吸收剂低频磁导率以及低频宽带吸波材料的设计三个方面进行。主要研究内容和结论如下:（1）提出前热处理-搅磨两步法制备低介电、高磁导率的晶粒取向片状FeSiAl。结果表明,前热处理使样品晶粒长大,内应力降低,表面产生微量氧化;搅磨使FeSiAl合金粒子宽厚比增大并获得（400）晶面取向。搅磨后,初始晶粒较大、内应力较小的粒子具备更低的内应力,可获得更大的低频磁导率。热处理产生的表面的微量氧化则使搅磨获得的片状FeSiAl合金粉具备更低的介电常数。当前热处理温度为1000℃,搅磨时间为20 h时,样品的介电常数最小,1 GHz处磁导率最大,晶粒取向度为47.3%,1 mm时的反射损耗最小值为-5.3 dB。（2）提出利用热处理制备富含DO₃相和更高晶粒取向度的片状FeSiAl合金吸收剂的方法,提升了材料的低频磁导率和吸收性能。结果表明,由于FeSiAl的（400）晶面平行表面时晶体的能量最低,因此在晶粒长大过程中形成（400）晶面择优取向。与此同时,随着热处理温度的升高DO₃相含量增加、内应力降低,从而提升了样品的磁导率。当热处理温度为700℃时,样品的饱和磁化强度为126 emu/g,晶粒取向度达到58.4%。FeSiAl/石蜡体积分数为35 vol%时,1mm厚度下反射损耗值最小值为-7.1 dB,峰值频率为1.06 GHz。（3）采用已经获得的FeSiAl合金为低频吸收剂,提出利用匹配频率分别位于高、中、低频的吸波材料进行梯度叠层设计获得宽带吸收的简单策略。采用磁共振及匹配频率位于低频的高介电材料作为底层、磁共振及匹配频率位于高频的低介电材料作为面层、磁共振及匹配频率位于中频的中等介电材料作为中间层,在限制多层材料总厚度的条件下优化各层厚度来实现宽频吸收。设计且制备得到了总厚度为2.4和1.0 mm、反射损耗-8 dB和-4 dB以下带宽分别达到2¹8 GHz和2.2¹8 GHz的宽带吸波材料。