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短短几年的发展,随着4G商用的成熟,5G的商用也即将展开序幕,通讯业的高速发展,对于现代集成电路与器件有了更高的要求,普遍要求高频率、小尺寸、低功耗、低成本等共性。锗硅（SiGe）类的器件在这种条件下应用而生,得到了迅速发展,它具有与Ⅲ-Ⅴ族相同的性能,其成本优势更加明显,更为可贵的是SiGe技术可与CMOS技术相结合形成SiGe BiCMOS技术。在目前的工艺下,随着频率的提高,要求基区越薄越好,这就是说工艺生产过程中其杂质不外扩,研究者提出了在基区加入碳（C）组分来抑制基区杂质的外扩,从而进一步提升器件的频率。在目前报道的高频和超高频SiGe器件中,已有非常多的已使用了C组分掺杂。本文首先对掺C抑制基区硼（B）的外扩做了分析,将掺C材料与非掺C材料进行了实验对比分析,计算得掺C材料的抑制率为91%。以上结论作为后续研究SiGe:C HBT器件的理论支撑（高频器件中薄基区的工艺制备难度较高）;对器件的发射区、基区、集电区进行了参数、掺杂和结构的设计,分别探讨了各个区的参数对于器件性能的影响。利用仿真工具MEDICI对器件的结构参数进行仿真分析,综合处理各个不同参数对于器件性能的影响,得到器件的结构参数,仿真结果为,器件的电流增益为200,特征频率为75GHz,击穿电压BVceo为4.4V。本文中提出了一种浮空埋层结构的SiGe器件,与之对比分析,研究了超结结构对于器件击穿性能的影响。浮空埋层结构主要是利用分割电场的原理,通过改变掺杂来改善击穿特性。本文详细分析了这种结构的原理,就它对于器件的性能影响做了具体的对比,仿真结果显示,浮空埋层结构对于器件的击穿特性有明显的提升作用。通过FAB工艺生产线进行流片实验,对流片器件进行了测试,获得了实验批次的SiGe:C HBT的特性参数,器件的电流增益为210,特征频率为72GHz,击穿电压为3.3V。