铁基超导作为非常规超导的一个重要体系,是近十年来超导领域研究的一个热点。目前发现的大多数铁基超导材料,其母体本身不超导,而是呈现一定的反铁磁序,通过外界元素掺杂或者高压等手段,压制其反铁磁相变而出现超导。铁基超导化合物ThFeAsN在未进行任何处理的情况下母体即具有高到30 K的超导转变温度。从目前的研究现状来看,对材料进行电子掺杂或者空穴掺杂而提高体系的超导转变温度是一种简单而且有效的方法。对于ThFeAsN体系而言,可直接对负责超导的[Fe₂As₂]^2-层进行电子掺杂。由于Co元素和Ni元素原子半径与Fe元素的原子半径相近而且分别比Fe元素多一个和两个3d电子,从而它们是实现直接电子掺杂的首选元素。本论文将介绍铁基超导体ThFeAsN中Co、Ni元素的掺杂和拓扑超导体Nb_xBi₂Se₃中Nb元素的掺杂对超导性质的影响。1. 在ThFeAsN母体的Co元素掺杂当中,我们制备了不同掺杂比例的Th Fe_1-xCo_xAsN多晶样品。测试发现,随着Co元素掺杂量的不断增加,晶胞参数发生了明显的变化,母体ThFeAsN的超导转变温度逐渐降低,直至超导现象消失。此外,我们合成了一种新型化合物ThCoAsN,并对其基本物理性质进行了表征。ThCoAsN呈现出顺磁金属态。2. 在ThFeAsN母体的Ni元素掺杂当中,我们制备出了不同掺杂比例的Th Fe_1-xNi_xAsN多晶样品。我们发现Ni元素对母体的超导有着强烈的压制作用,在掺杂比例为1%的条件下母体ThFeAsN的超导即消失。掺杂比例在80%以下时,虽然有少量铁磁性杂质,但样品主要表现出了泡利顺磁性。同时,我们制备了纯相的Th Ni AsN发现其超导转变温度为4.9 K与先前的报道相比提高了0.6 K。3. 随着拓扑物理研究的兴起,拓扑与超导的关联逐渐进入人们的视野,产生了一个崭新的领域:拓扑超导。体拓扑超导体Nb_xBi₂Se₃是在强拓扑绝缘体母体Bi₂Se₃的基础上,经过Nb元素的掺杂而实现超导的。通过简单的元素掺杂就能使拓扑绝缘体变为超导体,但对于Nb原子掺杂进入Bi₂Se₃的位置到底替位掺杂还是范德瓦尔斯层层间掺杂一直存有争议。我们制备了高质量的Nb_xBi₂Se₃单晶,确定了Nb原子范德瓦尔斯层间的插层掺杂是导致Nb_xBi₂Se₃出现体拓扑超导的原因。这项工作对于进一步研究Nb_xBi₂Se₃的超导机理以及拓扑超导的机理都具有重要的意义。