若干纳米半导体量子限域效应及其超快光电特性

来源 :中国科学院上海光学精密机械研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Z12456879
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随着纳米结构材料制备技术以及超短超强激光技术的迅猛发展,认识纳米结构体系的特殊光电性能,不仅能加深我们对低维材料的了解和认识,而且有重要的高技术应用背景.我们一方面研究各种纳米结构的量子限域性质及其对光学性能的影响;另一方面,利用飞秒激光超快光谱技术研究飞秒激光辐照下半导体纳米薄膜电子激发的瞬态过程、超快载流子弛豫动力学,以及材料的超快结构相变和烧蚀过程.我们所做的工作以及所获得的主要创新性成果归纳如下:1.首次用多带有效质量理论计算了闪锌矿GaN量子点的电子结构,给出了电子、空穴限域能级随量子点尺寸的依赖关系,获得了与实验结果相吻合的理论吸收光谱.2.用有效质量理论研究了Si、3C-SiC量子点的激子能谱结构.3.首次开展针状3C-SiC纳米线的光致发光研究,室温下观察到了-强的光致发光宽峰结构,峰中心位置在450 nm左右.4.创新地运用色散理论研究半导体量子点的极化子特性.5.在实验上,我们用瞬态反射率测量技术首次研究了ZnO薄膜的电子激发、材料结构相变以及烧蚀的瞬态过程.6.实验上研究了ZnO薄膜在高强度激光激发下高密度载流子所致带隙重整的瞬态过程以及高密度载流子的弛豫过程.
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