阻变式随机存储器（RRAM）是替代传统Flash技术的有力候选者,其制备及忆阻性能的研究非常重要。同时,光刺激比单纯的电刺激对忆阻单元更具选择性,通过调节光照功率可以提高忆阻器件的存储容量,也可用于远距离操控。ZnO是一种具有较大结合能和直接宽带隙的二元金属氧化物,同时具备高电子迁移率和透明特性,是一种重要的光敏半导体材料,其作为阻变层材料已在非易失性存储器、逻辑运算和神经突触模拟等领域取得了显著的进展。然而,ZnO基忆阻器在光电调控、多端调控以及大规模集成应用方面,还面临着诸如制备工艺不成熟、材料阻变机理不够明确等问题。因此,本文以“基于掺杂ZnO忆阻器的制备及光电调控特性研究”为题展开相关研究,具体包括以下的几个方面:（1）通过水热法探究最佳的制备条件,成功合成氧化锌纳米棒阵列,并制备了Cu/ZnO NRs/Zn结构的忆阻器件。研究结果表明:基于氧化锌纳米棒阵列的忆阻器表现出良好的双极阻变行为,并对部分器件进行了不同波长辐照下的I-V测试,相比于暗态,忆阻器件的响应电流均有增大,表明ZnO薄膜具有光电协同刺激响应性。阻变机制均为由空间电荷限制电流（SCLC）主导的电子型阻变机制。本工作为ZnO基多响应忆阻器的研究提供了新思路和参考,为开发具有光电操作的人工神经突触器件和神经网络计算提供了一种经济有效的方法。（2）利用溶胶-凝胶法制备掺锡氧化锌（Sn:ZnO）薄膜,优化固化温度和退火温度,获得最佳的薄膜制备工艺,并证明了锡以Sn4+掺杂进入ZnO晶格。发现不同温度处理后的薄膜均具有典型的忆阻滞回曲线,说明该掺锡氧化锌薄膜具有双极阻变的存储特性。通过机制拟合,发现了随着退火温度的升高,器件阻变行为由电子型逐渐向离子型转变。分析认为电子型阻变机理为氧空位形成的缺陷对电子的捕获与退捕获过程,而离子型阻变过程则与导电通道的形成和断裂有关。（3）为探究ZnO基稀磁半导体材料的忆阻特性,对ZnO薄膜实施过渡金属Mn掺杂,利用水热法制备了掺锰氧化锌（Mn:ZnO）薄膜。研究结果表明Mn:ZnO薄膜呈现纳米锥形貌并发生团聚现象,Mn以Mn2+掺入ZnO晶格,Mn:ZnO薄膜忆阻器表现出电子型双极阻变特性,Mn掺杂可有效的降低操作电流,有望进一步增大阻变窗口,为稀磁半导体材料成为多端调控阻变存储器的新型阻变材料提供参考。