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本文利用燃烧法结合真空热处理制备了Cr3+掺杂的镓酸盐红色/近红外长余辉发光材料。利用X-射线衍射、扫描电子显微镜表征样品的微观结构，利用激发光谱、发射光谱、余辉衰减曲线和热释发光测试研究材料的光学特性。为了提高样品的余辉性能，通过调研文献，本实验在制备Cr3+掺杂的具有尖晶石结构的镓酸盐材料过程中加入Ge(GeCl4),经过多次实验，最终选择余辉性能较好的样品的配比为ZnGe0.7GaO4-x:0.5%Cr3+。样品的XRD结果表明我们已经制得了具有尖晶石结构的粉末样品。根据离子半径和配位情况认为Cr3+和Ge4+均占据了基质中镓的格位。扫描电子显微镜观察到合成的样品平均粒子大小为几百纳米到几微米不等。利用紫外光激发ZnGe0.7GaO4-x:0.5%Cr3+粉末样品，能观测到明显的红光发射，发射峰位在694nm处，对应于Cr3+的2E-4A2的跃迁。样品的最有效激发在584nm处，位于4A2-4T2的吸收带上。440nm、320nm、270nm左右的激发峰则分别来源于Cr3+的基态4A2到4T1（4F）,2A1（2G）,4T1（4P）激发态的吸收。这些结果表明Cr3+已经掺入到具有尖晶石结构的基质的晶体格位中。当用紫外光照射样品一段时间，停止照射后能够监测到明显的红色余辉现象。通过分析样品的余辉衰减曲线，发现随着真空处理温度的升高，样品的余辉性能有所增强，光源照射停止10小时后仍能监测到余辉发光，余辉性能最好的样品余辉时间可达20小时以上。表明真空热处理有助于材料产生更多的Zn空位、Ga空位、Ge空位、O空位以及反替位等缺陷，提高样品的余辉性能。通过测试样品的热释发光研究陷阱对余辉的影响，结果表明样品具有三类不同深度的陷阱能级，余辉性能越好的样品陷阱数目越多，为了进一步明确不同陷阱对余辉的贡献，对紫外光照射停止后不同时间的样品进行了热释发光测试，结果表明余辉的快过程主要来源于第一类较浅的陷阱，随着照射停止时间的延长热释发光峰向高温方向移动，说明余辉的缓慢衰减过程主要取决于第二类陷阱。实验结果表明我们制得的Cr3+掺杂的镓酸盐为性能良好的红色长余辉材料，具有很大的发展潜力。