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目的:在体外试验系统,初步探讨Cr（Ⅵ）在P53缺失且caspase抑制条件下诱导Hep3B细胞的凋亡机制,进一步阐明ROS在其中的作用。方法:以Hep3B细胞为受试细胞,通过MTT试验检测不同浓度下Z-VAD-fmk、NAC、Cr（Ⅵ）对Hep3B细胞存活率的影响,通过单细胞凝胶电泳实验观察细胞凋亡形态筛选出有效的Cr（Ⅵ）作用时间。其后续试验Cr（Ⅵ）浓度定为20μmol/L,染毒时间为6h。将Hep3B细胞随机分成对照组、Cr（Ⅵ）处理组、Z-VAD-fmk+Cr（Ⅵ）处理组、NAC+Cr（Ⅵ）处理组、Z-VAD-fmk+NAC+Cr（Ⅵ）处理组。Z-VAD-fmk和NAC分别预处理细胞1h,再加入K2Cr2O7至终浓度20μmol/L,染毒6h。姬姆萨染色、电镜观察及单细胞凝胶电泳法观察细胞凋亡形态及细胞DNA损伤情况,流式细胞仪检测细胞凋亡率,荧光分光光度法检测线粒体通透性转运孔（PTP）及跨膜电位（△ψm）、化学比色法检测细胞氧化损伤。结果:1.Cr（Ⅵ）引起Hep3B细胞存活率降低:Cr（Ⅵ）在2.5-100μmol/L处理浓度范围内,能明显引起Hep3B细胞存活率的降低（P＜0.05）,处理浓度和细胞存活率之间存在负相关（r=-0.893）。2.染毒处理导致DNA损伤:与对照组相比,Cr（Ⅵ）、Z-VAD-fmk+Cr（Ⅵ）、NAC+Cr（Ⅵ）和Z-VAD-fmk+NAC+Cr（Ⅵ）处理组能明显诱导细胞DNA链断裂,彗星数量增多（P＜0.05）;NAC+Cr（Ⅵ）、Z-VAD-fmk+NAC+Cr（Ⅵ）处理组,与Cr（Ⅵ）处理组相比DNA损伤程度减轻（P＜0.05）。3.染毒处理对Hep3B细胞形态学的影响:Cr（Ⅵ）处理6h,引起Hep3B细胞皱缩或肿大,染色质浓染,细胞间隙扩大,空泡样变,细胞膜和核膜不完整或消失,染色质嗜碱性降低。电镜下观察,可发现Cr（Ⅵ）染毒组细胞出现表面微绒毛减少,线粒体肿胀、嵴消失、空泡状变,细胞核内出现透亮区、呈空泡状变等细胞凋亡或坏死的表现。加入NAC有保护作用。4.染毒处理对Hep3B细胞凋亡的影响:与对照组相比,Cr（Ⅵ）、Z-VAD-fmk+Cr（Ⅵ）、NAC+Cr（Ⅵ）和Z-VAD-fmk+NAC+Cr（Ⅵ）处理组能明显诱导Hep3B细胞细胞发生凋亡和坏死（P＜0.05）;NAC有明显保护作用（P＜0.05）。5.染毒处理导致Hep3B细胞线粒体膜损伤:与对照组相比Cr（Ⅵ）、Z-VAD-fmk+Cr（Ⅵ）、NAC+Cr（Ⅵ）和Z-VAD-fmk+NAC+Cr（Ⅵ）处理组细胞线粒体膜电位（△ψm）降低,PTP开放度增加,差异有显著性（P＜0.05）。加入NAC后有明显的拮抗作用（P＜0.05）。6.染毒处理导致细胞氧化损伤:Cr（Ⅵ）、Z-VAD-fmk+Cr（Ⅵ）、NAC+Cr（Ⅵ）和Z-VAD-fmk+NAC+Cr（Ⅵ）染毒组引起SOD、CAT、GR活性明显降低,NO、MDA生成增多,与对照组比较差异有显著性（P＜0.05）;加入NAC后有明显保护作用（P＜0.05）。结论:20μmol/L Cr（Ⅵ）能明显引起Hep3B细胞氧化应激,导致细胞DNA损伤、线粒体膜损伤、细胞凋亡等;同时在抑制caspase条件下,受试细胞仍然发生凋亡。结果提示,Cr（Ⅵ）诱导的凋亡可能存在非p53、非caspase途径,其中ROS起重要作用。