随着科学技术的发展,纳米材料因其独特的物理化学性质和潜在的应用,已经成为人们关注和研究的热点。而半导体纳米材料具有的量子尺寸效应、小尺寸效应和表面效应等使得它们呈现出许多新奇的特性,所以它在发光器件、非线性材料、光敏感材料、光催化材料等方面表现了出了广阔的应用前景,未来的趋势,半导体的制造技术将进入一个纳米时代。在本论文中,我们利用水热与溶剂热法,设计新的反应体系和工艺路线,通过调节反应物种类及其用量、溶剂种类与浓度、反应时间、反应温度等实验参数,合成了Bi₂S₃、Sb₂Se₃、Bi₂Te₃、Zn₂SnO₄和CdS_0.5Se_0.5五种非常重要的半导体材料。与此同时实现了在合成过程中对尺寸和形貌的调控,并研究了材料的疏水性质、气体传感性质和光响应性能。其中,水热/溶剂热法因其制备工艺简单、投资少、污染小等优点而成为一种常用制备纳米材料的方法。本文的主要研究内容如下:1.在温和的苯甲醇的体系下,合成出了新颖的花形Bi₂S₃纳米结构,它们是由纳米棒自组装形成的分级结构。利用XRD、XPS、SEM、TEM、HRTEM和SAED等表征手段,深入探讨了反应物的浓度和反应时间对最终产物结构和形貌的影响。研究表明,PVP （K90）对Bi₂S₃花形的自组装分级结构的形成起到了至关重要的作用,并提出了相应的反应机理。此外,花形的Bi₂S₃薄膜表现出良好的疏水性能,因此,它会带来广阔的应用前景。2.溶剂热法制备Sb₂Se₃和Bi₂Te₃的纳米结构:利用溶剂热法成功制备Sb₂Se₃纳米线和Bi₂Te₃锯齿棒。首先,在160度温度下,在苯甲醇体系中低温可控合成了Sb₂Se₃纳米线;其次,改用乙二醇溶液作为反应介质,在硝酸和表面活性剂PVP（K30）辅助条件下,成功地合成出尺寸均匀、单分散性好的Bi₂Te₃锯齿棒。随后探讨了反应物浓度、反应时间以及其它因素对产物形貌的影响,实现了最佳条件下对超长的Sb₂Se₃纳米线和Bi₂Te₃纳米锯齿棒的可控合成。最后,研究了Sb₂Se₃纳米线的光响应性能。结果表明,Sb₂Se₃纳米线具有较大的光电响应特性,日后可应用在高灵敏度、高速的光电探测器和光电开关中。3.在180°C的水热条件下,成功的合成了高度有序的三维的Zn₂SnO₄ 3D纳米花,它是由纳米棒自主装成的。通过XRD、SEM、TEM和HRTEM等对其进行表征和分析。实验结果显示,乙二胺和表面活性剂（CTAB）的浓度对Zn₂SnO₄的形貌影响起到了至关重要的作用,并提出了相应的反应机制。最后,我们详细的研究了它的气体传感性能。4.利用溶剂热法制备CdS_0.5Se_0.5纳米球:以苯甲醇为反应体系,在表面活性剂PVP辅助的条下,成功的制得了由纳米粒子聚集而成的CdS_0.5Se_0.5纳米球,分别用XRD、TEM、SEM和XPS表征了其成分和形貌。此外,通过一系列的实验研究了反应时间对产物形貌的影响。