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在常规能源短缺和环境污染越发严重的21世纪，寻找重复利用的清洁能源已成了迫在眉睫的任务。太阳能是一种清洁、廉价的可再生能源，其中，铜铟硒(CIS)系太阳能电池是一种直接带隙半导体材料，具有制造成本低、稳定性高、对建筑一体化的安装角度不太敏感等优点，正是这些优点使得CIS系薄膜太阳电池成为目前研究的热点。本文采用化学水浴法制备CIS薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜并对薄膜进行扫描电镜（SEM）的表面形貌和截面像的观察，能谱仪(EDS)分析成分组成、X射线衍射仪(XRD)分析微观结构；并用分光光度计(光率)检测获得半导体带隙的信息。研究表明：当醋酸镉浓度为(0.004～0.006)mol/L、氨水浓度为(0.3～0.5)mol/L、镉离子与硫离子浓度比为1:5时，CdS薄膜的表面质量和性能最佳。获得薄膜的厚度为40～190nm。退火可使薄膜的结晶质量得到明显的加强，且退火温度为300℃时，薄膜均匀、致密，结晶质量提高，颗粒尺寸从69nm长大到123nm左右。实验还将CI(A)S粉末与导电油墨按照一定的比例混合，然后利用丝网印刷方法将其涂覆到玻璃衬底和Mo底上。测得涂层的膜厚为40～75nm，随着溶质比例的增加，膜层厚度也随之增大。物相分析表明，退火后薄膜的晶粒尺寸从11.5nm增大到14nm，但是过高的温度会导致部分In的缺失。对于使用同一溶剂的膜层，随着粉体比例的增加，膜层的层间电阻和表面电阻都有增大的趋势。最后将CdS薄膜沉积到涂覆膜层上，并检测其光电流，发现了在氙灯的照射下，双层膜有微弱的光电流。但是在太阳光的照射下，电流强度还不如氙灯照射的结果。