量子点发光二极管（Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QLED）因其发光波长连续可调、色纯度高、色域广、亮度高、稳定性好等优点在新一代照明与显示领域备受关注。因此,国内外对此开展了一系列的工作,包括材料合成、器件结构的优化以及界面修饰等,使器件的外量子效率（External Quantum Efficiency,EQE）、亮度以及寿命等参数得到明显提升。截止目前,绿光、红光QLED的效率、亮度以及寿命均已达到了商业化应用标准,寿命一般以T50为参考（即恒定电流下,以初始亮度为标准,降低到初始亮度的一半所需的时间）。然而蓝光QLED器件的各项性能还未达标。在QLED器件中,器件出光的逃逸面积与光波长相关。因此,相比于红绿QLED,蓝光QLED有更多的光陷入到器件内部,导致蓝光QLED的效率、亮度以及寿命都相对偏低。为了从整体上提高蓝光器件的性能,一个有效途径便是通过结构设计提高光的外耦合效率。我们课题组通过褶皱外结构已极大的改善了基底模式的出光损耗。但同时值得注意的是,器件中波导模式的光损耗并没有得到改善。因此,在课题组前期工作的基础上,本论文提出通过蓝光QLED器件内部褶皱结构的设计,增强了波导模式的出光耦合效率,继而进一步提高蓝光QLED的整体器件性能。研究内容从以下三个部分进行展开。（1）褶皱结构PEDOT:PSS膜层的可控制备在IPS模板的基础上进行聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane PDMS）的制备、浇筑以及固化完成,获得PDMS软膜板。通过反应离子刻蚀技术,调控刻蚀条件在PDMS软膜板上制备获得周期从900 nm-3μm,深度在10 nm-98 nm的一系列软模板,通过原子力显微镜（Atomic force microscopy AFM）对结构进行表征,采用快速傅里叶变换（Fast Fourier transform FFT）对结构进行初始分析。利用纳米压印技术将PDMS软膜板上的微纳米褶皱结构转印到PEDOT:PSS膜层进行性能分析。结果表明,结构化PEDOT:PSS膜层在可见光范围的透过率均在87%以上,且在窄蓝光范围内透过率更接近了92%,此外,结构化后的膜层的导电性也有一定提升。（2）微纳米褶皱结构蓝光QLED器件的构筑利用纳米压印技术将不同周期的准周期褶皱结构转印到PEDOT:PSS膜层并以此作为器件空穴注入层,在此基础上构筑了蓝光QLED器件并且进行分析。结果表明,引入褶皱结构之后并未对器件造成严重的色散或谱带漂移,也未改变蓝光器件发光峰位。在褶皱结构的基础上,结构器件最大亮度相较于标准器件的8664 cd/cm~2提升到10660cd/cm~2,EQE由8.58%提升到了12.63%,效率得到了48.5%的提升。（3）利用时域有限差分法（FDTD）分析微纳米褶皱结构对QLED器件出光的影响为探究微纳米褶皱结构对器件的提升机理,通过时域有限差分法（Finite Difference Time Domain FDTD）分析,模拟偶极子光源（300-700 nm）下器件近场、远场模式下电磁场的分布强度。模拟结果中表现为光子能量在器件内部各层堆积。引入适配的微纳米褶皱结构,有效提取出陷入在蓝光QLED器件波导模式中的能量,增强了出光模式的电磁场强度,微纳米褶皱结构将器件内部能量进行再定向,让更多的光子能够出射到基底外部。综上所述,本论文在蓝光QLED器件中引入内部褶皱结构,通过制备具有褶皱结构的PEDOT:PSS膜层,将其应用到蓝光器件中,有效的实现了蓝光器件亮度与效率的同步提升（亮度提升21.4%,效率提升48.5%）;且在引入褶皱结构后,未使器件产生严重的色散以及谱带漂移现象,也未曾改变蓝光器件的发光峰位。