本论文主要研究了通过在石墨相氮化碳(g-C3N4)表面上原位生长MoS2纳米晶和组装花酸二酐(PTCDA)分子晶体以提高样品对苄胺光催化氧化为N-苄亚甲基亚胺反应的催化活性。我们利用原位沉积法制备了一系列负载不同含量MoS2的g-C3N4光催化材料,通过各种表征考察样品的性质,并以苄胺反应为模型反应考察了材料的光催化活性。研究结果表明MoS2的负载提高了 g-C3N4的电子空穴分离效率和可见光吸收进而提高了样品对苄胺反应的光催化活性,其中当MoS2含量为3%时活性最高。使用固相热合成法将PTCDA负载到g-C3N4上,由于PTCDA和g-C3N4之间的强π-π相互作用,使得PTCDA在g-C3N4表面由β相转晶为α相。PTCDA的复合提高了 g-C3N4的可见光吸收和电子传输效率,而且PTCDA作为PSII与g-C3N4形成了直接Z型光催化体系,不仅提高了电子和空穴的分离效率而且使该材料体系的氧化性和还原性高于分别的PTCDA和g-C3N4,在苄胺氧化反应中,PTCDA-C3N4表现出了很高的活性,其中活性最好的30PTCDA-C3N4的活性约为g-C3N4的八倍。