导电高分子纳米结构的研究还处在起步阶段,对于尺寸在100nm 或者是在100nm 以下结构,尤其是在绝缘基底上的构筑方法还不够成熟。而构筑方法的发展,直接与导电高分子纳米结构的性质研究、新现象的发现、以及所构筑的器件是否能够进一步产品化等问题相关联。因此,本论文包含两个方面的内容: 一、本论文发展出了构造导电高分子纳米结构的新方法,新方法主要有以下一些优点:1)所构造的导电高分子结构具有很高的分辨率,即具有构筑100nm 及100nm 以下结构的能力;2)能够在绝缘的基底上构造导电高分子结构。这一优点的主要意义在于:对于导电高分子来说,其功能性与其电性质密切相关(只有在绝缘的基底上才能测量),而其应用更是需要将导电高分子构筑在绝缘的基底上;3)方法简单,并且与现有的纳米构筑方法相兼容;4)构造方法成本低,适合于将来将构造出来的纳米结构器件化及进一步实用化。二、将发展出来的构造方法所构造出来的导电高分子纳米结构,进一步进行了性质的研究,并且构造出了相应的纳米器件并且对器件的性质进行了表征。根据导电高分子纳米结构的研究现状,能够明确知道其实用价值的就是构造导电高分子纳米传感器这一方向。因此,本论文器件的表征主要集中在导电高分子纳米传感器的性质研究之上。