SnO2是一种宽带隙n型半导体材料，室温下能隙宽度为3.67eV，有良好的化学稳定性、光学各向异性等特点。SnO2薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点，已被广泛地应用在太阳能电池、液晶显示、防静电涂层、电热材料、透明电极材料以及气敏材料等方面。SnO2作为一种广谱气敏材料，可以用来检测各种有毒、有害及各种可燃性气体，具有非常广阔的应用前景。 本课题在综述了各种制备SnO2薄膜的工艺方法基础上，根据实验条件采用化学反应射频磁控溅射方法制备了二氧化锡薄膜，并对制得的薄膜利用原子力显微镜、X射线衍射等手段进行了表征，实验结果表明，SnO2薄膜晶体择优取向为(110)和(211)方向，SnO2薄膜为四方金红石结构。热处理工艺对薄膜的性能有很大的影响，分析在150℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃空气中热处理，不同退火温度的影响，通过AFM的形貌观察发现薄膜的质量结晶良好，并且观测到晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大。同时发现该方法制作的薄膜方法沉积速度较快、工作气体压力较低，具有其独特的优越性。 通过在NH3、CO、NO2、H2四种气体的气氛下薄膜电阻的测试，得到SnO2薄膜微气体传感器在不同气氛中的特性曲线，并给出敏感膜的灵敏度、温度特性、响应时间和恢复时间的测试结果。探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理。