1450nm波段的半导体激光器可用于激光测距、医疗、短途通信等系统。大功率半导体激光器阵列因其输出功率高、寿命长、转换效率高、体积小等优点在国民经济中起着非常重要的作用。并且1450nm波长的半导体激光器对人体皮肤的伤害小，并且对人眼安全。但1450nm半导体激光器的在输出功率和可靠性方面仍存在一定局限，针对这些问题，我们进行了1450nm大功率半导体激光器的研究。 本文从激光散热的角度出发，针对1450nm大功率半导体激光器阵列的结构设计及制备进行了广泛深入的研究，取得了一些有价值的研究成果。 采用有效质量模型下的4×4Luttinger—Kohn哈密顿量矩阵对Ga_xIn_1-xAs／In_0.80Ga_0.20As_0.44P_0.56／InP量子阱结构进行了能带计算，求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系。 根据热扩散基本原理，设计制备了新型斜台面无源热沉冷却大功率半导体激光器阵列。与典型的无源热沉冷却大功率半导体激光器阵列相比，新型设计具有更好的温度特性，实现了高稳定性、高可靠性大功率半导体激光器阵列封装。