相变存储器是一种新型的非易失性存储器,利用硫系化合物的晶态和非晶态的电阻率差异实现存储的。它具有高密度、高可靠性、低功耗、低成本、擦写速度快、与CMOS技术兼容性好等优点,有望取代Flash成为下一代主流存储器,发展前景广阔。相变材料是相变存储器的核心部分,其性能优劣直接关系到器件特性的好坏。针对不同的应用目标,如数据保持力、速度、开关比、操作电流等,提升相变材料的性能已成为目前学术界和工业界的研发热点,其测试工作也已经渗透到研发过程的各个环节中。本文着重对相变薄膜测试方法进行研究,主要研究内容如下:首先利用光电探测器、数据采集卡、Keithley-2400恒流源和Keithley-2182A纳伏表等设备,创建了一个基于LabVIEW的高温光电特性测试系统。通过样品测试和误差分析来评定系统性能,结果表明系统具有较高的稳定性和精度,且在10^-24×10⁶?/sq量程内的系统误差仅为0.2%⁰.6%。利用该系统测试了GST薄膜的变温光电特性,发现在150℃²00℃以内,方块电阻快速减小了2个数量级,而薄膜表面反射光强则增大了50%。其次构建了一个基于Keithley-4200和探针台的半导体测试系统,利用它对GST薄膜的直流和脉冲电特性进行测试分析,结果显示GST薄膜的阈值电压和阈值电流均随薄膜厚度增加而增大,但脉冲扫描测试得到的阈值会比直流扫描测试时的大。变脉宽测试结果显示阈值电压随脉宽增加而减小。Set脉冲晶化测试不同厚度的GST薄膜得到的开关比均大于5,可满足实际工程应用需求。Reset脉冲非晶化测试发现薄膜的非晶化窗口随厚度增加而增大,且超过一定厚度的薄膜在实现非晶化后能一直稳定在高阻态。