以YBa2Cu3O7-δ(YBCO)为代表的第二代高温超导带材具有交流损耗小、不可逆场高、电流承载能力强等优点,在能源、电力、国防装备等众多领域显示出了优越的应用前景。在各种各样制备薄膜的方法中,MOCVD成膜效率高,外延薄膜均匀性好,因此倍受关注。本论文主要研究MOCVD在LaAlO3(001)单晶上制备高性能YBCO高温超导薄膜,此工作对于发展千米级的薄膜型超导带材十分重要,本论文主要包括以下几个方面:1系统研究了Ba/Y比,Cu/Y比和Y含量对薄膜成分、晶体结构、表面形貌和临界电流密度的影响,结果表明:临界电流密度以及薄膜表面杂质相颗粒的种类和大小与Ba/Y以及Cu/Y比密切相关。2研究了沉积温度和薄膜厚度对YBCO薄膜成分、表面形貌、临界电流密度的调控机理。通过对温度调整有效抑制a轴生长和薄膜高温分解等,同时还研究了薄膜厚度与临界电流密度的关系。3本文系统研究了YBCO薄膜中不同配比的稀土离子Gd掺杂对薄膜的磁通钉扎效应,考察了离子掺杂对薄膜成分、表面形貌、临界电流密度的影响,结果表明:稀土金属原子掺杂可有效提高YBCO薄膜在磁场下的临界电流密度,当Gd:Y=1:1时,临界电流密度最高。4采用MOCVD法在Y2O3/YSZ(Y稳定ZrO2)/CeO2(YYC)缓冲层上制备YBCO薄膜,研究热处理温度和金属有机源配比与薄膜结构、表面形貌和临界电流密度的关系。采用MOCVD法在YYC缓冲层上对其沉积温度和金属有机源配比的调整,成功制备出临界电流密度Jc=1.4 MA/cm2(77K,自场条件),临界电流Ic=140A/cm的YBCO超导薄膜。